9月9日消息，据外媒Tom's hardware报道，英特尔首席财务官（CFO）David Zinsner在花旗 2025 年全球 TMT 大会上表示,下一代的Intel 14A（1.4nm级）制程技术将是英特尔为代工客户从头开始设计第一个尖端制造工艺，因为其将使用ASML最新的0.55NA（数值孔径）的High NA EUV光刻机Twinscan EXE：5200B。

“14A 将比 18A 更贵，”David Zinsner坦言：“虽然就晶圆厂投资而言，14A并没有明显更贵。但这肯定会带来更高的晶圆制造成本，部分原因是我们期望在 14A 中使用High NA EUV 工具，而 18A 中并非如此。”

英特尔预计，与 18A 相比，其 14A 制造工艺的每瓦性能将提高 15% – 20%，功耗可降低 25% – 18%。14A还将采用第二代 RibbonFET 晶体管架构（一种升级的栅极全方位晶体管结构）和全新的背面供电技术 PowerDirect（一种将电源线直接连接到晶体管源极和漏极的背面供电网络）。

Intel 14A 还有一项关键创新是 Turbo Cells，它通过在密集的标准单元库中使用高驱动、双高单元优化关键时序路径来增强 CPU 和 GPU 频率，从而在不影响面积或功耗的情况下提高性能。然而，为了实现 14A 生产，英特尔需要使用High NA EUV 光刻系统，这些系统可提供更好的分辨率，因此不需要依赖多图案化。

ASML称其High NA EUV 系统在单次曝光中实现了 8nm 分辨率，与当前 Low-NA EUV 工具的 13.5nm 分辨率相比有着很大的提升。尽管 Low-NA EUV 系统也可以使用双图案化（双重曝光）达到 8nm分辨率，但这种方法会增加工艺复杂度并影响良率。然而，High NA EUV将曝光场减少了50%，需要芯片制造商调整其设计策略。此外，High NA EUV比现有的EUV光刻机更昂贵。

ASML 当前一代 Low-NA EUV Twinscan NXE：3800E 每台成本约为 2.35 亿美元，而High NA EUV Twinscan EXE：5200B（或更高级）工具预计每台成本为 3.8 亿美元。由于该技术带来的高成本和独特挑战，各家晶圆厂对于何时采用High NA EUV的规划各不相同：英特尔正在推动几年后利用High NA EUV量产14A，而台积电则采取更谨慎的态度，其A16制程仍将采用Low-NA EUV。

旨在生产采尖端制程工艺芯片的晶圆厂目前的建设成本从 200 亿美元到 300 亿美元不等，具体取决于产能配置，因此以 15.2 亿美元的价格增加四个 High-NA EUV工具几乎不会显着增加晶圆厂成本。同时，14A 研发成本高达数十亿美元。因此，一旦所有额外成本都加上，它们确实会使 14A 工艺技术比 18A 更昂贵，这就是为什么英特尔代工需要外部客户来证明额外成本的合理性。

“我认为英特尔首席执行官陈立武（ Lip-Bu Tan）所说的是，如果我们没有在外部获得 14A 客户，将很难证明该节点的合理性，”David Zinsner说。“所以，是的，英特尔产品将成为 14A 的大客户，事实确实如此，我们需要确保它达到我们可以为股东带来合理投资回报率的水平。”

此外，David Zinsner还确认，英特尔理论上可将晶圆制造业务最高49%股份出售给外部投资者，不会违反与美国政府协议。但是有兴趣投资者有限，英特尔不太可能在未来几年内全面分拆晶圆制造业务并首次公开募股（IPO）。

不久前，美国政府以89亿美元入股英特尔，获得了英特尔约10%的股权，根据协议，英特尔必须在5年内保持对晶圆制造业务的控股权。若英特尔对晶圆制造业务持股低于51%，美国政府可再增持5%，显示美政府对关键产业的控制权。

编辑：芯智讯-浪客剑