当地时间8月29日，根据美国《联邦公报》发布的通知显示，美国商务部工业与安全局（BIS）修订《出口管理条例》（EAR），将英特尔半导体（大连）有限公司（已被SK海力士收购，按原计划今年3月完全完成移交)、三星中国半导体有限公司以及SK海力士半导体（中国）有限公司从对中华人民共和国（PRC）现有经验证最终用户（VEU）授权名单中移除。

这些企业的豁免将在120天后到期，之后若要继续进口美系半导体制造设备，必须逐案申请许可。

美国商务部表示，美国将批准许可证以保障企业现有工厂继续运转，但不会允许扩大产能或升级先进技术。

这项规则的改变，除了会影响三星、SK海力士在华晶圆厂的扩产和技术升级之外，可能还将会对美国设备制造商科磊公司 (KLA)、泛林集团 (Lam Research) 和应用材料公司 (Applied Materials) 的在华销售造成负面影响。

值得一提的是，台积电在华晶圆厂似乎没有受到影响，其之前获得的永久豁免依然有限。这可能与其此前追加1000亿美元对美投资有关。

撤销“无限期豁免”，设备供应将受限

早在2022年10月7日，美国出台了新的对华半导体出口管制政策，限制了位于中国大陆的晶圆制造厂商获取先进逻辑制程芯片、128层NAND闪存芯片、18nm半间距或更小的DRAM内存芯片所需的制造设备的能力，除非获得美国商务部的许可。三星、SK海力士、台积电等外资企业在中国大陆的晶圆厂也受到了该政策的影响。

不过，在数日之后的，三星电子、SK海力士、台积电均获得了美国商务部颁发的1年豁免期许可，使得他们在之后的1年内，美系设备厂无需办理任何额外的许可，即可向他们位于中大陆的晶圆厂供货。

2023年10月，在1年豁免期即将到期之际，美国商务部又同意向三星电子、SK海力士和台积电位于中国大陆的晶圆厂提供“无限期豁免”，使得他们无需再担心受到美国对华半导体设备供应限制政策的影响。这也将使得他们在中国的晶圆厂能够继续正常运营。

目前主流的NAND Flash芯片正在迈向了128层以上的更高的堆叠层数，主流的DRAM芯片也在进入10纳米级。而三星和SK海力士在中国都有着庞大的NAND FlashH和DRAM产能，台积电南京厂也有一定的16/12nm逻辑芯片代工产能，如果无法获得美系先进的半导体设备及零部件供应，那么不仅现有的产线运营可能将受影响，未来也将无法继续进行技术升级和扩大产能，这势必将会影响到他们在华工厂的正常运营，以及未来的产能布局和市场竞争力。虽然这一负面影响在短时间内不会立刻显现。

三星、SK海力士在华产能占比较高

资料显示，三星在中国大陆的西安、苏州拥有存储芯片工厂。其中，西安工厂是三星在华最大投资项目，主要制造3D NAND闪存芯片。截至2024年年中，西安厂两期项目总投资已高达270亿美元。数据显示，三星西安工厂月产能将达到26.5万张12英寸晶圆，占三星全球NAND闪存芯片总产量的42%。2022年，三星半导体西安工厂产值将突破1000亿元人民币。

SK海力士目前在中国大陆无锡、大连（从英特尔手中收购而来）拥有晶圆厂。截止至2020年，SK海力士已累计在中国投资超过200亿美元，在无锡拥有4000多名员工，并于2019年完成第二工厂C2F的建设。随着C2F项目的持续推进，无锡工厂将承担SK海力士DRAM芯片全球生产总量近一半的份额。此外，在2021年SK海力士还将其位于韩国青州的8英寸成熟制程晶圆代工厂M8迁至了无锡，但是该晶圆厂去年已经被出售给了中企。

研调机构TrendForce数据显示，2025年一季度的全球DRAM市场，SK海力士以36%市场份额位居第一，三星以33.7%的份额居第二。而在2025年一季度的全球NAND Flash市场，三星以31.9%的份额位居第一，SK海力士以16.6%的份额居第二。

也就是说，三星与SK海力士一起占据了全球近70%的DRAM市场和近50%的NAND Flash市场。另有数据显示，目前三星在中国的NAND Flash工厂，投片量占该公司 NAND Flash总产能的 42.3%，全球产能占比也高达 15.3%。SK海力士也同样拥有约50%的DRAM产能和20%的NAND Flash产能在中国大陆。

小结:

显然，美国撤销对于三星和SK海力士在华晶圆厂的豁免，改为逐案许可，且限制技术升级和产能扩充，这将使得他们在华晶圆厂未来的运营和投资将会受到很大的影响。因为他们现有的在华产能如果未来长期无法进行技术升级的话，可能会逐步走向萎缩。

不过，如果中国本土半导体设备能够获得突破，则有望打破美国对于三星、SK海力士在华晶圆厂的限制。

编辑：芯智讯-浪客剑