黄仁勋:GAA晶体管技术将为英伟达新一代GPU带来20%性能提升

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3月28日消息,根据外媒Tom’s Hardware的报导,GPU大厂英伟达(NVIDIA)CEO黄仁勋日前在GTC 2025大会访谈中表示,依靠环绕栅极(GAA)晶体管的下一代制程技术,其可能会为英伟达GPU带来20%的性能提升。而这里黄仁勋所说新一代GPU,就应该是指预计在2028年推出的Feynman了。

报道称,黄仁勋在回答中似乎淡化了制程节点变化的重要性,强调摩尔定律的放缓代表着未来全新的制程技术在密度、功率和/或能效方面的改进有限,预计只会带来20%左右的改进。他还表示,尽管先进制程技术带来的改进值得欢迎,但它们已不再具有变革性。黄仁勋强调,我们会接受它,但其他因素更为重要。尤其,随着人工智能系统的规模扩大,管理大量GPU的效率变得比每个GPU的原始性能更重要。

按照惯例,英伟达通常不会首先采用抬积电最新制程节点制程,而会选择次新的尖端制程技术。例如,目前英伟达正在使用台积电的4nm制程技术来生产针对消费等级,以及数据中心的Ada Lovelace、Hopper 和Blackwell等构架GPU,而台积电4nm节点制程本质上是5nm节点制程的改良版。而英伟达的下一代GPU构架RuBin,其计划是采用台积电3nm节点制程,可能是N3P或者是针对英伟达的订制化版本。因此,英伟达首款采用GAA制程技术的产品则应该是在2028年预计推出的Feynman构架上。

台积电预计首款采用GAA技术的N2节点制程将比N3E性能提高10%到15%,当然黄仁勋并没有提及会采用哪家的GAA制程技术。所以,理论上台积电N2制程技术,还是三星的2nm技术,甚至是Intel 18A都有其可能姓。而且英伟达大概不会使用新制程的第一代技术,所以Feynman更可能会使用N2的改进版N2P,以提高性能、降低电阻并稳定电力输送。此外,台积电预计N2P和A16节点制程都在2027年投产,其A16节点制程将增加背面供电功能,性能会比N2提升8%至10%。

报导强调,如果英伟达在Feynman GPU上使用N2P或者A16节点制程,预计将会比采用N3P节点制程的Rubin GPU每瓦性能提高20%,实际性能提升可能更高。不过,考虑到目前AI计算的巨大需求,英伟达似乎更倾向追求最高性能,而不是达到最佳能耗。

编辑:芯智讯-林子

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