三星宣布量产512GB UFS闪存，采用64层V-NAND技术

三星今天宣布，正式开始量产业内首款512GB嵌入式UFS闪存，产品将用于下一代智能手机。

据介绍，该闪存使用的是三星的64层V-NAND技术，单晶粒大小512Gb（64GB），8片和主控封装在一起。此前，三星提供的是48层V-NAND，最高256GB UFS的方案。

性能方面，标称连续读取860MB/s、写入255MB/s，随机读取42000IOPS，写入40000 IOPS，可以在6秒向SSD传完一部5GB的高清电影。

对于512GB的大容量，三星举例说，可以存储130部4K分辨率（3840×2160）的10分钟视频片段，而64GB仅能存储13部。

在新闻稿中，三星不断强调读写和容量方面相较microSD卡的巨大进步，预计巨头在未来手机上放弃这一特性也快了。

最后，三星表示，将加大64层512Gb和256Gb闪存的产能，并在未来用于SSD产品。