11月11日消息,芯智讯通过美国加州北区地方法院最新公布的信息了解到,中国3D NAND闪存制造商——长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)已于11月9日在美国加州北区地方法院对美国美光科技公司(MICRON)和美光消费类产品事业部(MICRON CONSUMER PRODUCTS GROUP, LLC)(以下统称“美光”)提起诉讼,指控美光侵犯了其8项与3D NAND相关的美国专利。
5月18日消息,据台湾《电子时报》援引消息人士的话报道称,长江存储最近已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品,预计将在今年年底前正式推出相应产品。
在上周的2019中国国际智能产业博览会上,紫光集团首次公开展出了旗下长江存储研发的64层堆栈3D NAND闪存。今天(9月2日),长江存储正式宣布,其64层堆栈3D NAND闪存已开始量产。
在今天召开的2019中国国际智能产业博览会上,紫光集团展出了旗下芯片及云计算等领域的最新进展,其中首次公开展出了旗下长江存储研发的64层堆栈3D闪存,采用了Xtacking堆栈结构,核心容量也提升到了256Gb。
近日,在美国举办的Flash Memory Summit(闪存技术峰会)的首日Keynote上,长江存储(Yangtze Memory Technology,YMTC)压轴出场,推出了其最新的3D NAND架构Xtacking,I/O接口的速度提升到了3Gbps,吸引了外界的极大关注。不过在长江存储演讲之前,海力士则公布了更为令人惊叹的4D闪存技术。