长江存储64层堆栈3D NAND闪存量产!

在上周的2019中国国际智能产业博览会上,紫光集团首次公开展出了旗下长江存储研发的64层堆栈3D NAND闪存。今天(9月2日),长江存储正式宣布,其64层堆栈3D NAND闪存已开始量产。

紫光国产64层3D闪存正式亮相:Xstacking堆栈 256Gb核心

据介绍,长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存,即每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位,每个存储单元为三个字位的3D闪存。长江存储表示,该闪存满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求,与目前业界已上市的64/72层3D NAND闪存相比,其拥有同代产品中更高存储密度。而这主要得益于长江存储自主研发的Xtacking架构。

当前,NAND闪存主要沿用两种I/O接口标准,分别是Intel/索尼/SK海力士/群联/西数/美光主推的ONFi,去年12月发布的最新ONFi 4.1规范中,I/O接口速度最大1200MT/s(1.2Gbps)。第二种标准是三星/东芝主推的Toggle DDR,I/O速度最高1.4Gbps。不过,大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的I/O速度。

而长江存储的Xtacking架构成功将I/O接口的速度提升到了3Gbps,实现与DRAM DDR4的I/O速度相当。

据悉,Xtacking架构可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元,这样有利于选择更先进的制造工艺。当两片晶圆各自完工后,创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合。相比传统3D NAND闪存架构,Xtacking可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

长江存储3D NAND架构Xtacking揭秘:I/O速度看齐DDR4

官方称,传统3D NAND架构中,外围电路约占芯片面积的20~30%,降低了芯片的存储密度。随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高,外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。Xtacking技术将外围电路置于存储单元之上,从而实现比传统3D NAND更高的存储密度(长江的64层密度仅比竞品96层低10~20%)。

在NAND获取到更高的I/O接口速度及更多的操作功能的同时,产品开发时间可缩短三个月,生产周期可缩短20%,从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。

长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示,通过将Xtacking架构引入批量生产,能显著提升产品性能,缩短开发周期和生产制造周期,从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。

作为集成器件制造商,成立于2016年的长江存储提供完整的存储解决方案及服务,并计划推出集成64层3D NAND闪存的固态硬盘、UFS等产品,以满足数据中心,以及企业级服务器、个人电脑和移动设备制造商的需求。长江存储称,将持续投入研发资源,确保产品市场竞争力。程卫华表示,随着5G、人工智能和超大规模数据中心时代的到来,闪存市场的需求将持续增长。

另据了解,2020年底长江存储的64层3D NAND闪存的产能有望提升至6万片晶圆/月的规模。2020年会跳过96层堆栈直接杀向128层堆栈,进一步缩短与三星东芝等公司的差距。

编辑:芯智讯-林子

0

付费内容

查看我的付费内容