• 11 月 7 日消息,三星电子今日宣布量产236层 3D NAND 闪存芯片,这是三星产品中具有最高存储密度的1Tb (128GB) 三比特单元(TLC)的第8代V-NAND。...
  • 8月6日,三星官方宣布已率先量产了全球首款基于136层堆叠的第六代256Gb 3-bit V-NAND颗粒的新型250GB SATA固态硬盘(SSD)。...
  • 据外媒7月10日报道,顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。...
  • 三星今天宣布,正式开始量产业内首款512GB嵌入式UFS闪存,产品将用于下一代智能手机。据介绍,该闪存使用的是三星的64层V-NAND技术,单晶粒大小512Gb(64GB),8片和...
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