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三星
三星宣布量产236层3D NAND闪存芯片,PCIe 5 SSD速度可超12GB/s
11 月 7 日消息,三星电子今日宣布量产236层 3D NAND 闪存芯片,这是三星产品中具有最高存储密度的1Tb (128GB) 三比特单元(TLC)的第8代V-NAND。...
admin
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7个月前 (11-07)
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136层堆叠
V-NAND
三星电子
三星第6代V-NAND闪存量产:首创136层堆叠,传输速率业内最快
8月6日,三星官方宣布已率先量产了全球首款基于136层堆叠的第六代256Gb 3-bit V-NAND颗粒的新型250GB SATA固态硬盘(SSD)。...
admin
业界
4年前 (2019-08-06)
2,043
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V-NAND
三星
第五代V-NAND闪存芯片
三星宣布大规模量产第五代V-NAND闪存芯片
据外媒7月10日报道,顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。...
admin
业界
5年前 (2018-07-12)
1,584
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V-NAND
三星
三星宣布量产512GB UFS闪存,采用64层V-NAND技术
三星今天宣布,正式开始量产业内首款512GB嵌入式UFS闪存,产品将用于下一代智能手机。据介绍,该闪存使用的是三星的64层V-NAND技术,单晶粒大小512Gb(64GB),8片和...
admin
业界
6年前 (2017-12-05)
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