三星宣布量产236层3D NAND闪存芯片,PCIe 5 SSD速度可超12GB/s

 11 月 7 日消息,三星电子今日宣布量产236层 3D NAND 闪存芯片,这是三星产品中具有最高存储密度的1Tb (128GB) 三比特单元(TLC)的第8代V-NAND。

据介绍,这款1Tb容量的全新V-NAND是目前三星V-NAND中具有最高存储密度的产品,可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。

同时,随着三星第8代V-NAND存储芯片的存储密度的大幅提升,与现有相同容量的闪存芯片相比,最新的第8代V-NAND存储芯片可提高 20% 的单晶生产率,从而进一步降低了成本(在良率相同的情况下),这可能意味着大家有望买到同等容量更便宜的固态硬盘。

基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V-NAND,其输入和输出(I/O)速度高达2.4 Gbps(千兆比特每秒),相比上一代提升了1.2倍,这可以满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。当搭配高端主控使用时,它可使得消费级 SSD 的传输速度轻松超过 12GB/s。

三星表示,其第8代V-NAND有望帮助扩展下一代企业服务器的存储容量,同时其应用范围还将拓展至可靠性尤为重要的车载市场。

三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi Hu也表示:“市场对更高密度、更大容量存储的需求,推动了V-NAND层数的增加,三星采用3D缩放(3D scaling)技术,减少表面积并降低高度,同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求,更好地提供差异化产品和解决方案,有望成为未来存储创新的基础。”

今年年初有消息称,三星正准备大规模生产具有下一代接口的 SSD。目前英特尔和AMD正准备推出支持PCIe 5.0 SSD的服务器处理器,因此三星选择现在推出第8代V-NAND产品。据官方介绍此产品的闪存厚度在可控范围内,封装512GB容量也不超过0.8mm,所以存储容量也更大,后续或可用于新一代智能手机。

值得注意的是,今年年中,三星推出了其第八代和第九代 V-NAND 产品以及第五代 DRAM 产品。在此之前,该公司目前为 V-NAND 提供 512 Gb 三级单元 (TLC) 产品。

此外,第五代 DRAM 产品将是 10nm (1b) 器件,将于 2023 年进入量产阶段。三星即将推出的其它 DRAM 解决方案还包括 32 Gb DDR5 解决方案、8.5 Gbps LPDDR5X DRAM 和 36 Gbps GDDR7 DRAM。

三星声称,到 2030 年,它将打造出 1000 层的 V-NAND。为了实现这一目标,三星正在从其当前的 TLC 架构过渡到四级单元 (QLC) 架构,以提高密度并启用更多层。

三星还将在 DRAM 研发上投入更多资源,研究新的架构和材料,例如 High-K,以帮助将 DRAM 扩展到 10nm 以上。该公司打算进一步开发其它 DRAM 解决方案,例如内存处理 (PIM)。

编辑:芯智讯-林子
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