三星宣布量产1Tb QLC第九代V-NAND
继今年4月量产业界首个基于TLC的第 9 代 V-NAND之后，三星电子于9月12日正式宣布，其已经开始批量生产首个 1Tb QLC 第 9 代 V-NAND，将进一步巩固其在高容量、高性能 NAND 闪存市场的领导地位。
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三星将于本月量产290层NAND，明年还将推出430层NAND
4月12日消息，据韩国媒体据Kedglobal报道，全球最大的存储芯片制造商三星电子公司将于本月晚些时候开始批量生产 290 层第九代垂直 (V9) NAND 芯片，以引领行业向高堆叠高密度闪存过渡的竞争对手。另据业内消息人士于本周四表示，随着人工智能时代对高性能和大型存储设备的需求增长，三星电子还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
三星第9代V-NAND闪存明年量产：采用双堆栈架构，超过300层
8月18日消息，据DigiTimes报道，三星准备明年开始生产第9代V-NAND技术的产品，将超过300层，继续沿用双堆栈架构。
三星宣布量产236层3D NAND闪存芯片，PCIe 5 SSD速度可超12GB/s
11 月 7 日消息，三星电子今日宣布量产236层 3D NAND 闪存芯片，这是三星产品中具有最高存储密度的1Tb (128GB) 三比特单元（TLC）的第8代V-NAND。
三星第6代V-NAND闪存量产：首创136层堆叠，传输速率业内最快
8月6日，三星官方宣布已率先量产了全球首款基于136层堆叠的第六代256Gb 3-bit V-NAND颗粒的新型250GB SATA固态硬盘（SSD）。
三星宣布大规模量产第五代V-NAND闪存芯片
据外媒7月10日报道，顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。
三星宣布量产512GB UFS闪存，采用64层V-NAND技术
三星今天宣布，正式开始量产业内首款512GB嵌入式UFS闪存，产品将用于下一代智能手机。据介绍，该闪存使用的是三星的64层V-NAND技术，单晶粒大小512Gb（64GB），8片和主控封装在一起。性能方面，标称连续读取860MB/s、写入255MB/s。
