为什么HBM玩家这么少？面临这五大关键门槛
6月17日消息，在当前人工智能（AI）芯片中扮演不可或缺地位的高带宽內存（HBM），其生产困难点有哪些，为什么迄今全球只有SK海力士、美光和三星这三家DRAM大厂有能力跨入该市场，外媒对此做了一个综合性的分析。
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合约价上涨，推升DRAM第一季营收季增5.1%至183.5亿美元
6月13日消息，根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，2024年第一季DRAM产业主流产品合约价走扬、且涨幅较2023年第四季扩大，带动营收较前一季度成长5.1%，达183.5亿美元，推动多数业者营收延续季增趋势。
SK集团会长拜访台积电，强化HBM芯片制造合作
6月7日，韩国SK集团发布新闻稿表示，SK集团会长崔泰源与旗下存储芯片大厂SK海力士（SK Hynix）总裁郭鲁于6月6日访问台积电，与台积电新任董事长魏哲家进行了会面，虽然未披露具体商谈内容，但证实双方同意加强在人工智能（AI）芯片方面的合作，包括第六代高带宽內存（HBM）HBM4芯片。
2024年一季度全球NAND Flash营收环比增长28.1%
5月29日消息，根据TrendForce集邦咨询研究，2024年一季度全球NAND Flash市场营收环比增长28.1%，达147.1亿美元。主要受益于AI服务器厂商自今年2月起扩大采用Enterprise SSD，大容量订单开始涌现，以及PC、智能手机客户为为应对NAND Flash价格上涨而主动提高库存水平。
SK海力士离职员工被控向中企泄露核心技术
5月29日消息，据日本中央日报，警方于当地时间周二称，一名曾在 SK 海力士工作的中国公民因涉嫌为中国 IT 公司华为窃取韩国芯片制造商的关键半导体技术而接受审判，这是一系列向中国公司泄露芯片技术事件中的最新一起。
SK海力士HBM4芯片2026年将带来6-15亿美元以上营收
5月28日，瑞银集团最新发布的研究报告分享了对于台积电、日月光和世界先进近期的看法，并对台积电、世界先进给予买入评级，日月光则是中立评级。
NAND Flash开始迈向300层
5月28日消息，根据市场研究机构的数据显示，今年一季度全球NAND Flash营收同比大幅增长30%，而这主要得益于NAND Flash的平均销售价格同比上涨了27%。
SK集团董事长：考虑在日本及美国建芯片厂！
5月24日消息，据《日经亚洲》报导，SK集团（SK Group）董事长兼执行长崔泰源（Chey Tae-won）23日在东京举行的“Future of Asia”论坛上接受采访时表示，若有海外投资必要，会考虑在日本及美国建芯片厂。
SK海力士HBM3e良率已接近80%
5月23日消息，据英国《金融时报》报道，SK海力士高层Kwon Jae-soon近日向其透露，SK海力士的HBM3E良率接近80%，生产效率也明显提升。
三星与SK海力士将采用1c DRAM打造新一代HBM4
5月20日消息，据韩国 ZDNet援引的最新行业消息称，韩国存储芯片大厂三星和 SK 海力士正计划使用1c制程的DRAM来开发下一代的HBM4内存。
传三星HBM3E未通过英伟达验证，原因或与台积电有关
存储芯片大厂美光、SK海力士和三星分别于2023年7月底、8月中旬、10月初向英伟达（NVIDIA）送去了八层垂直堆叠的24GB HBM3E样品以供验证，随后在2024年初，美光和SK海力士的HBM3E都通过英伟达的验证，并获得了订单，三星HBM3E却并未通过验证。
