业界 美国拟撤销对三星/SK海力士/台积电在华晶圆厂“豁免” 当地时间6月20日,据《华尔街日报》援引知情人士的话报道称,负责美国商务部工业和安全局(BIS)的商务部副部长杰弗里·凯斯勒 (Jeffrey Kessler) 已经通知三星电子、SK海力士、台积电等在中国大陆拥有晶圆厂的晶圆制造商,美国计划取消允许它们在中国使用美国技术(主要是半导体设备)的豁免。2025年6月21日
业界 传SK海力士已向英伟达小批量供应HBM4 6月19日消息,据韩国媒体dealsite.co.kr报道称,随着人工智能(AI)芯片大厂英伟达(NVIDIA)准备向客户提供其下一代 AI 加速器“Rubin”的样品,SK 海力士也在加快了HBM4 的量产进度。目前,SK海力士已经开始向英伟达小批量供应了HBM4,并已经安装在了 Rubin 样品中。美光也紧随其后,向英伟达提供了12层堆叠的HBM4 样品。行业观察人士表示,SK 海力士将占据英伟达初始采购量的很大一部分。2025年6月19日
业界 亚马逊携手SK集团建韩国最大AI数据中心,将部署6万颗AI GPU 6月17日消息,据外媒CNBC报道,云服务大厂亚马逊AWS携手韩国第二大财阀SK集团,以及SK集团旗下子公司SK 海力士、SK 电讯、SK 宽带等,计划在韩国蔚山打造韩国最大AI数据中心,目标电力容量达103兆瓦,并将部署高达6万颗GPU,对于韩国加速推进AI发展具有标志性意义。2025年6月17日
业界 美光/Amkor/SK海力士美国建厂计划受阻 6月12日消息,据半导体研究机构SemiAnalysis的最新研究显示,虽然在《芯片与科学法案》(CHIPS and Science Act)的资助下,许多厂商在美国的晶圆厂开始建设或即将进入量产阶段,但部分建厂因为环境审查与当地居民抗议而尚未动工,陷入“邻避情结”(NIMBY)或许可流程长达两年的状况。目前受影响的项目包括Amkor(安靠)在亚利桑那州的先进封装厂、美光在纽约的DRAM晶圆厂,以及SK 海力士在印第安纳州HBM 工厂。2025年6月13日
业界 英伟达委托三大DRAM厂商开发SoCEM模块,美光率先获得量产批准 6月11日消息,据外媒tweaktown报道,英伟达(NVIDIA )委托托三星、SK 海力士和美光等DRAM大厂开发SoCEM 内存模块,但出乎意料的是,美光竟是第一家获得量产批准的公司。2025年6月11日
业界 2025Q1全球DRAM市场下滑5.5%,SK海力士以36%份额位居第一 6月3日消息,据市场研究机构TrendForce最新发布的调查报告显示,2025年第一季因一般型DRAM(conventional DRAM)合约价下跌,加上HBM 出货规模收敛,DRAM 产业营收环比下滑5.5%至270.1亿美元。平均销售单价方面,三星更改HBM3e 产品设计,HBM 产能排挤效应减弱,使下游业者去化库存,导致多数DRAM产品合约价延续2024年第四季以来的下跌趋势。2025年6月3日
业界 HBM4制造难度及成本将更高,溢价幅度预计将超30% 5月22日消息,根据市场研究机构TrendForce最新发布的研究报道称,受益于AI芯片需求的带动,三大DRAM原厂正积极推动HBM4 产品进度。但因HBM4的I/O 数量增加,复杂芯片设计也使得所需的晶圆面积增加,且部分供应商产品改为采逻辑基低芯片构架以提高性能,这些都将带来成本的提升。鉴于HBM3e刚刚推出时溢价比例约20%,制造难度更高的HBM4的溢价幅度或突破30%。2025年5月22日
业界 SK海力士开发基于321层NAND Flash的UFS 4.1产品,明年一季度量产 5月22日,韩国存储芯片大厂SK 海力士宣布,已成功开发出搭载全球最高321层1Tb TLC 4D NAND Flash 闪存的UFS 4.1 移动解决方案产品。2025年5月22日
业界 传三星已对DRAM产品涨价,涨幅最高20%! 5月13日消息,据韩国媒体ETNews报道,受到美国关税战掀起客户提前备货潮的带动,三星电子因客户需求高涨,决定顺势调涨DRAM芯片的价格。2025年5月13日
业界 为赶超SK海力士,三星计划三年内量产V-DRAM 4月28日消息,据韩国媒体 sedaily 报导,三星电子已确定将在三年内量产被称为次世代內存的“垂直信道晶体管(VCT)DRAM”的蓝图。外界解读,三星有意比竞争对手SK海力士更早一个世代成功量产,以挽回“超级差距”的地位。2025年4月28日
业界 SK Hynix展示全球首款16层堆叠HBM4:2.0TB/s带宽、台积电代工Logic Die 4月28日消息,据wccftech报道,继今年3月宣布全球首次向客户提供12层堆叠HBM4样品之后,SK海力士在近日的台积电北美技术论坛又首次向公众展示其最新的16层堆叠HBM4方案。2025年4月28日
业界 传三星HBM4的逻辑Base Die测试良率已超40% 据《朝鲜日报》报道,此前在HBM技术竞争中落后的三星电子,其在HBM4 12层 技术的开发和制造方面已经取得了巨大进展,其为HBM4开发的基于其4nm逻辑制程的Logic die 的测试良率已超过40%。2025年4月18日