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SK海力士计划在2025年底量产400层NAND Flash
8月3日消息，据etnews报道，SK海力士计划在2025年上半年量产321层NAND Flash之后，在2025年底开始量产400层NAND Flash，并希望在2026年上半年过渡到大规模生产。
SK海力士宣布推出GDDR7：速度提升60%，能效提升50%
7月30日，韩国存储芯片大厂SK海力士宣布，公司正式推出了全球最高性能的新一代显存产品GDDR7。
SK海力士二季度营收同比大涨124.8%，HBM营收暴涨250%！
7月25日消息，韩国存储芯片大厂SK 海力士发布了截至2024年6月30日的2024财年第二季度财务报告，虽然营收创下了历史新高，营业利润也扭亏为盈，创近6年来历史新高，但是受美股科技股大跌的影响，SK海力士的股价大跌8.87%。
传三星计划采用4nm生产HBM4的逻辑芯粒
7月16日消息，据《韩国经济日报》引述未具名消息人士报导，三星准备运用4nm制程，量产第六代高带宽内存——HBM4的逻辑芯粒（logic die）。
HBM4规范定型：最高32Gb、16层TSV堆栈，6.4Gbps！
近日，标准组织JEDEC公布了新一代的高带宽内存HBM4的标准制定即将完成。HBM4 旨在超越当前发布的 HBM3 标准，进一步提高数据处理速率，同时保持更高带宽、更低功耗以及增加每个芯片和/或堆栈容量等基本功能。这些进步对于需要高效处理大型数据集和复杂计算的应用程序至关重要，包括生成式人工智能 （AI）、高性能计算、高端显卡和服务器。
SK海力士二季度营业利润预计将超263.5亿元
据彭博社报导，得益于人工智能热潮带来的巨大市场机会，过去一个月至少有19位分析师认为存储芯片大厂SK海力士二季度财报有望超出此前的预估值。彭博社整理的SK海力士二季度营业利润预测值的中位数为5万亿韩元，创6年来最高。
受益NAND Flash涨价+产品组合优化，群联毛利率将维持在30%以上
7月2日消息，麦格理证券近日在最新研究报告中指出，闪存控制器大厂群联在2024年将继续受益于NAND Flash价格的强劲增长，加上群联不断的改进其产品组合，因而看好该公司未来的发展方向。
美光2025年欲抢下25%的HBM市场，SK海力士严阵以待
7月2日消息，美国存储芯片大厂美光（Micron）于6月5日宣布，预计2025自然年，其HBM市占率将与美光的DRAM市占率相当，达到约为20-25%。可以说美光的豪言也给另外两家HBM大厂SK海力士和三星带来了一些竞争压力。
HBM需求旺盛，带动半导体硅片需求倍增
7月1日消息，虽然半导体市场需求已经有所恢复，不过半导体硅片产业今年受到客户因持续执行长合约采购，造成库存消化速度较慢，而终端需求包括智能手机、电脑等的回升速度较慢，所以上半年仍有库存的影响。但随着AI需求的增长，包括AI需要使用的HBM（高带宽内存）以及先进封装结构改变，都需要增加使用半导体硅片，随着库存去化、AI 发展以及换机潮有望启动下，半导体硅片产业明年展望乐观。
SK海力士公布近750亿美元投资计划，80%将用于发展HBM
据路透社报道，SK集团6月30日宣布，旗下存储芯片大厂SK海力士（SK hynix）将投资103万亿韩元（约合746亿美元），计划在2028年之前进一步加强其面向人工智能存储芯片业务。这项投资是该公司目前正在韩国京畿道建设的900亿美元“大型晶圆厂综合体”的基础。
三星、SK 海力士都将在新一代HBM中采用混合键合技术
6月21日消息，据业内最新消息显示，韩国DRAM芯片大厂三星和SK海力士都计划在即将推出的新一代高带宽内存（HBM）中采用新的混合键合（Hybrid Bonding）技术。
