芯能半导体合肥厂房交接，专注于IGBT/SiC功率模块封装制造
据芯能半导体官方消息，4月11日，芯能半导体合肥高端功率模块封装制造基地厂房交接仪式在合肥安巢经开区举行。据悉，本次交接项目为一栋三层半结构，约13000m²。
标签： SiC MOS
爱仕特与汉磊集团达成SiC领域多项合作，将共同开发8英寸SiC MOS技术
3月15日，台湾汉磊集团董事长徐建华到访爱仕特进行交流。双方在以下方面达成重要合作，基于双方2022年已签署的LTA协议，汉磊将重点考虑满足爱仕特的代工产能需求；为1700V和3300V SiC MOS的量产准备；共同合作开发SiC MOS trench工艺技术；共同合作开发SiC MOS 8英寸工艺技术。
