SK海力士：针对华为Mate 60 Pro出现自家存储芯片展开紧急调查！
9月7日，近期华为新机Mate 60 Pro横空出世，在业界和市场造成极大轰动。经研调机构TechInsights拆解发现，其主控芯片及大部分芯片都是中国产，仅LPDDR5内存和NAND Flash闪存来自于SK海力士。对此，SK海力士发布声明称，已没有和华为有业务往来，决定针对此事展开调查。
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继三星涨价之后，传美光也将对NAND Flash晶圆合约涨价10%
9月5日，天风国际分析师郭明錤发文称，继三星在8月份涨价后，美光也将自9月开始调涨NAND Flash晶圆合约价约10%，这将有助于改善美光下半年获利。
存储芯片减产持续至2024年
针对 NAND Flash 目前的市场表现，包括市场调查研究机构及外资的研究报告都表示，当前供应商的减产状况将持续，使得价格有逐渐恢复的趋势。不过，整体市场供需与价格要回复到健康的水准，预计整体还需要一段时间的努力。
康盈半导体发布C端存储新品，出彩设计在Z世代实力“出圈”
8月23日，中国电子、嵌入式及半导体先进封测行业风向标——elexcon2023深圳国际电子展隆重开幕。作为本次深圳电子展的重磅活动之一，国产存储新锐企业康盈半导体再次焕新而来，以“燃青春，随芯存”为主题，发布2023 C端存储新产品，拉开了C端新攻势的序幕。康盈半导体在行业见底复苏和回温中“抢鲜”开跑，也传递出国产存储企业对未来市场的信心。
日媒：美国将延长三星/SK海力士/台积电在华晶圆厂的“豁免期”
据日经新闻8月23日报道，据多位业界相关人士指出，美国已敲定方案，计划延长对外资在华晶圆厂进口美国设备的“豁免期”进行延长，但具体延长多久仍未确定，也有可能是无限制。
长江存储被制裁一年后，三星、SK海力士宣布3D NAND将迈入300层！
2022年，美光、SK海力士、三星等相继量产了232层3D NAND Flash，但是在美方的制裁之下，长存128层及以上NAND Flash的供应链受到严重阻碍。在此背景之下，这些国际大厂纷纷加速迈向300层，希望能主导未来3D NAND Flash的技术路线。
三星带头，NAND Flash“涨声”响起！
8月17日，据Digitime报道称，国内的NAND Flash模组厂近日已暂停报价及接单，将配合原厂（三星）报价调高8~10%。此举将有望拉动NAND Flash价格逐步回升到制造成本线。
三星第9代V-NAND闪存明年量产：采用双堆栈架构，超过300层
8月18日消息，据DigiTimes报道，三星准备明年开始生产第9代V-NAND技术的产品，将超过300层，继续沿用双堆栈架构。
三星与SK海力士半导体库存累计突破50万亿韩元！
8月16日消息，据韩国媒体Etnews报导，两大內存商三星和SK海力士最新公布的半年报显示，截至6月底，三星半导体业务DS部门库存金额为33.6896万亿韩元，SK海力士的半导体库存金额为16.4202万亿韩元，与2022年底时的库存金额相比分别增长了15.9%和4.8%。
SK海力士发布321层4D NAND Flash闪存样品，性能提升59%！
SK海力士于8月8日宣布，借助其最新发布的321层堆叠4D NAND Flash闪存样品，使其正式成为业界第一家完成300层以上堆叠NAND Flash闪存开发的公司。
NAND Flash需求持续萎靡，铠侠新厂延后启用
据日本媒体“岩手日报”7月31日报导，由于NAND Flash需求不振，日本 NAND Flash 大厂铠侠（Kioxia）兴建中的新厂启用时间可能将延后至2024年。
Q2营业利润同比暴跌95%！三星宣布延长减产计划
7月27日，三星电子发布第二季度财报显示，该季营业收入为60万亿韩元，同比下滑22.28%；营业利润为6685亿韩元，同比下滑95%；净利润1.72万亿韩元，同比下滑84.5%，但较第一季度增长9.6%；这个业绩数据与三星本月7日公布的业绩快报（销售额60万亿韩元、营业利润6000亿韩元）基本持平。
