三星NAND Flash产能利用率已恢复至90%以上？
4月23日消息，据韩国媒体ETNews报导，有市场人士表示存储芯片大厂三星电子近期已将NAND Flash闪存的产能利用率提升至90%，相较第一季的80%进一步提升。
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佰维存储Q1净利暴涨242.84%，股价涨停！存储芯片涨价能否持续？
4月16日晚间，国产存储模组厂商佰维存储发布了2024年第一季度业绩预告，预计公司第一季度实现营业收入为 170,000 万元至 180,000 万元，同比暴涨 299.54%至 323.04%；实现归属于母公司所有者的净利润为1.5亿元至1.8亿元，同比暴涨219.03%~242.84%，实现扭亏为盈。
三星NAND晶圆投片量趋于保守，产能利用率维持在60%以下
4月17日消息，据韩国媒体《朝鲜日报》报道，三星电子今年一季度在韩国平泽和中国西安NAND Flash闪存生产线的晶圆投片量，相较上一季将提升了约30%。不过，三星方面对进一步的增产仍然保持谨慎态度，希望避免影响到NAND Flash的价格涨势。
三星将于本月量产290层NAND，明年还将推出430层NAND
4月12日消息，据韩国媒体据Kedglobal报道，全球最大的存储芯片制造商三星电子公司将于本月晚些时候开始批量生产 290 层第九代垂直 (V9) NAND 芯片，以引领行业向高堆叠高密度闪存过渡的竞争对手。另据业内消息人士于本周四表示，随着人工智能时代对高性能和大型存储设备的需求增长，三星电子还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
西部数据再发涨价函：NAND Flash及机械硬盘全面涨价！
4月9日消息，随着人工智能市场需求的爆发，推动了NAND Flash闪存及大容量机械硬盘（HDD）的需求及价格的上涨。存储大厂西部数据已于4月8日向供应商发布了涨价通知函，宣布将在本季度继续对NAND Flash和HDD产品进行涨价。
铠侠计划在2031年量产1000层3D NAND Flash！
4月6日消息，据外媒Xtech Nikkei报道，日本存储芯片大厂铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima表示，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。
2024年二季度NAND Flash合约价将上涨18％
3月29日消息，根据TrendForce集邦咨询最新发布的报告显示，除了铠侠（Kioxia）和西部数据（WDC）自今年第一季起提升产能利用率外，其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND Flash采购量较第一季小幅下滑，但整体市场氛围持续受供应商库存降低，以及减产效应影响，预估第二季NAND Flash合约价将强势上涨约13~18%。
长江存储推出新一代QLC闪存：读写速度提升100%，寿命可达4000次擦写！
3月22日消息，近日的中国闪存市场峰会上，长江存储展示了一系列产品和技术解决方案，包括新一代QLC 3D NAND闪存，内部代号“X3-6070”，就有着极为优秀的素质，可满足企业级、消费级、嵌入式全场景的应用需求。
营收大涨58%，股价暴涨14%！美光：明年绝大部分HBM产能已售罄！
当地时间3月20日，美国存储芯片大厂美光（Micron）公布了截至2024年2月29日的2024财年第二季财报。
铠侠及西部数据产能利用率已提升至90%
3月19日消息，据市场研究机构TrendForce的研究显示，在目前NAND Flash涨价将持续至第二季的预期下，部分供应商为了减少亏损、降低成本，并寄望于今年重回获利，已计划提升产能。今年3月起，铠侠/西部数据已率先将产能利用率恢复至近90%，不过其余业者均未明显增加投产规模。
存储芯片涨价+增产，三星一季度利润将暴涨669%？
3月18日消息，受过去两年半导体市场需求下滑的影响，三星存储芯片部门连续多个季度一直处于亏损当中。财报显示，整个2023财年，三星的半导体业务亏损额高达14.88万亿韩元（约合人民币800.5亿元）。不过，在2023年一季度后，三星启动了减产计划，推动了半导体业务的亏损持续收窄，其中DRAM业务已率先于2023年四季度扭亏为盈。现在，随着市场需求的持续回暖，以及NAND Flash价格的回升，将带动三星半导体乃至整个三星电子业绩的改善。
三星NAND Flash将涨价15%-20%！
3月15日消息，继此前NAND Flash主控芯片厂慧荣科技总经理苟嘉章表示，NAND Flash第二季度的价格预计将会继续上涨20%之后，韩国《朝鲜日报》近日也报道称，三星将针对手机、PC和服务器等客户重新议价，预计将对NAND Flash涨价15%~20%。
