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存储芯片涨价+增产,三星一季度利润将暴涨669%?

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3月18日消息,受过去两年半导体市场需求下滑的影响,三星存储芯片部门连续多个季度一直处于亏损当中。财报显示,整个2023财年,三星的半导体业务亏损额高达14.88万亿韩元(约合人民币800.5亿元)。不过,在2023年一季度后,三星启动了减产计划,推动了半导体业务的亏损持续收窄,其中DRAM业务已率先于2023年四季度扭亏为盈。现在,随着市场需求的持续回暖,以及NAND Flash价格的回升,将带动三星半导体乃至整个三星电子业绩的改善。

三星NAND Flash将涨价15%-20%!

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3月15日消息,继此前NAND Flash主控芯片厂慧荣科技总经理苟嘉章表示,NAND Flash第二季度的价格预计将会继续上涨20%之后,韩国《朝鲜日报》近日也报道称,三星将针对手机、PC和服务器等客户重新议价,预计将对NAND Flash涨价15%~20%。

今年二季度NAND Flash将涨价20%!

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3月12日消息,自去年下半年以来,NAND Flash市场需求持续回暖,带动其价格也开始持续上涨。根据此前TrendForce发布的数据显示,预估2024年第一季NAND Flash合约价环比涨幅约15%~20%。而NAND Flash控制大厂慧荣总经理苟嘉章近日接受媒体采访时也表示,NAND Flash第二季度的价格预计将会继续上涨20%,并且涨势将延续到2025年上半年。

铠侠调整减产计划,产能利用率将回升至90%!

3月4日消息,据日本《共同通信》报导,因恶化的半导体市况呈现改善,因此铠侠将调整自2022年开始实施的NAND Flash减产措施,以提高产量。据关系人士指出,视实际需求而定,产能利用率预计会在2024年3月回升至90%左右水准。

三星即将推出280层3D QLC NAND Flash

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1月30日消息,三星已宣布即将于2月18日至2月22日在美国旧金山举行的IEEE国际固态电路会议(ISSCC)上,介绍其280层堆叠的3D QLC NAND Flash,这将是迄今为止储存数据密度最高的新型3D QLC NAND Flash。

传长鑫存储已量产18.5nm DRAM芯片

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1月26日消息,据外媒报道,国产DRAM芯片厂商长鑫存储(CXMT)位于合肥的新工厂已经开始批量生产 18.5 纳米工艺的 DRAM 芯片,合肥工厂一期已接近满负荷生产,月产量达到 100000 片晶圆。即将进行的二期扩建将在 2024 年底前完成,每月增加 40000 片晶圆,让长鑫存储的 DRAM 总产能达到全球规模的 10%。

若供应商若能谨慎控制产能,DRAM及NAND Flash合约价涨势将延续至四季度

三星/SK海力士/美光等涉嫌操控DRAM芯片价格,在美国遭遇集体诉讼
1月19日消息,据市场研究机构TrendForce的最新研究显示,DRAM产品合约价自2021年第四季开始下跌,在连跌八个季度之后,2023年第四季度开始恢复增长。NAND Flash合约价自2022年第三季开始下跌,连跌了四个季度之后,至2023年第三季度开始恢复增长。在面对2024年市场需求展望仍保守的前提下,故涨势能否延续将取决于上游原厂是否持续且有效的控制产能利用率。

2024年一季度NAND Flash合约价将环比上涨15%~20%

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1月9日消息,市场研究机构TrendForce最新发布的研究报告显示,尽管适逢传统淡季需求呈现下降趋势,但为避免缺货,买方持续扩大NAND Flash产品采购以建立安全库存水位,供应商为减少亏损,对推高价格也势在必行,预估2024年第一季NAND Flash合约价季涨幅约15%~20%。

NAND Flash晶圆11月价格暴涨25%

12月11日消息,在三星、SK海力士及美光等头部存储芯片的持续扩大减产的背景之下,11月NAND Flash wafer价格涨幅超过25%。由于原厂减产后供给减少,再加上原厂主动进行涨价,部分存储模块厂只能接受原厂涨价,特别是在“原厂还会继续涨价”的预期心理下,存储模组厂商持续抢货,将进一步推升了12月的价格涨幅。