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传三星将逐季对NAND涨价20%，累计涨幅或超70%！
11月2日消息，据韩国媒体Pulse引述半导体产业多位消息人士谈话指出，三星将在本季度对NAND Flash芯片报价上调10%至20%之后，还将会在明年一季度和二季度再逐季涨价20%，涨价幅度远超乎业界预期。如果三星真的按照这个计划来涨价的话，明年三季度调涨后的价格将会比本季度未涨价之前上涨超70%。
江波龙三季度营收28.72亿元，同比增长66.62%
10月26日晚间，存储器厂商江波龙电子公布了2023年三季报，营收同比大涨，净利润依然亏损，但亏损额环比收窄。
SK海力士三季度净亏损2.1847万亿韩元！反对铠侠和西部数据合并！
10月26日，韩国存储芯片大厂SK海力士今日发布了截至2023年9月30日的2023财年第三季度财务报告。
获“无限期豁免”后，三星西安工厂将升级236层NAND技术！
10月22日消息，据外媒体报道，存储芯片大厂三星在获得美国政府对其在中国的工厂的“无限期豁免”之后，使得三星在中国的工厂将无需特别许可申请，就可进口美国芯片设备来进行升级或扩产的动作。
三星证实明年将生产300层以上的NAND Flash
10月19日消息，据外媒Tomshardware报道，韩国存储芯片大厂三星公布了V-NAND（即3D NAND）发展计划，证实将在2024年生产超过300层的第九代V-NAND芯片。
供应商扩大减产，四季度NAND Flash合约价预计环比上涨8~13%
10月16日消息，据市场研究机构TrendForce最新发布的研究报告显示，由于供应商严格控制产出，NAND Flash第四季合约价全面起涨，涨幅约8~13%。展望2024年，除非原厂仍能维持减产策略，且需要留意服务器领域对Enterprise SSD需求是否回温，否则在缺乏需求做为支撑的前提下，NAND Flash要延续涨势将有难度。
传铠侠、西部数据本月将达成合并协议！SK海力士反对？
10月16日消息，据共同通信、日经新闻、朝日新闻等多家日本媒体报道称，NAND Flash大厂铠侠（Kioxia）和西部数据（Western Digital）之间的合并协商已进入最终阶段，有望在10月内达成合并协议，合并后的公司将在美国纳斯达克上市，新公司的董事会将由铠侠掌控过半数席位。但是，因为对铠侠进行间接出资的韩国SK海力士（SK Hynix）的反对，因此能否在本月内达成协议仍有变数。
存储芯片需求持续疲软，三星三季度利润或将继续大跌80%
10月11日消息，据路透社报导，受到全球经济不景气、通货膨胀、消费电子市场需求疲软等众多因素的持续影响，导致存储芯片持续供过于求，价格也是一路下跌，头部的存储芯片厂商业绩均出现了巨额的亏损。作为全球最大的存储芯片厂商，三星半导体业务在2023年一季度和二季度巨亏之后，预计三季度仍将巨亏3-4万亿韩元，拖累三星整体获利同比继续大跌80%。
传三星大砍平泽三厂达产规模，四季度NAND Flash价格将上调10%
据中国台湾电子时报报道称，三星电子将下调韩国平泽三厂(P3)的 投资规模，并大砍DRAM、NAND Flash达产规模，其中NAND Flash产能增设规模或降至原定三分之一水准，加上随着三星持续转换先进制程，设备更换期间带来的自然减产效果预计也将扩大。
美国放松限制！三星及SK海力士在华晶圆厂获得“无限期豁免”！
10月9日，据韩国总统办公室通报，美国商务部已经同意向三星电子和SK海力士位于中国的晶圆厂提供“无限期豁免”，即美国供应商无需任何许可，就可向三星和SK还来在中国的晶圆厂供应半导体设备。
美国芯片法案“护栏规则”正式公布：限制接受补贴的厂商扩大在华半导体制造能力
近日，美国商务部（BIS）正式公布了实施《科学与芯片法案》（以下简称“芯片法案”）配套的巨额补贴发放的“国家安全护栏”的最终规则。该规则详细阐述了法规的两个核心条款：第一，禁止“芯片法案”资金接受者在10年内扩大在外国关注的材料半导体制造能力；其次，限制补贴接受者与相关外国实体进行某些联合研究或技术许可工作。
