NAND Flash晶圆11月价格暴涨25%
12月11日消息，在三星、SK海力士及美光等头部存储芯片的持续扩大减产的背景之下，11月NAND Flash wafer价格涨幅超过25%。由于原厂减产后供给减少，再加上原厂主动进行涨价，部分存储模块厂只能接受原厂涨价，特别是在“原厂还会继续涨价”的预期心理下，存储模组厂商持续抢货，将进一步推升了12月的价格涨幅。
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西部数据发涨价函：NAND Flash价格将周期性上调，预计将累计上涨55%！
12月7日消息，据《经济日报》报道，全球第四大NAND Flash闪存供应商西部数据近日对客户发出涨价通知函，强调未来几个季度NAND Flash产品的价格将采取周期性调涨方式，预期累计将上涨55%。此外，西部数据还指出，公司硬盘（HDD）产品会也每周审查定价，预计明年上半年价格会上涨。
江波龙将与金士顿将成立合资公司，将面向中国大陆客户提供嵌入式存储产品
12月2日消息， 深圳市江波龙电子股份有限公司（以下简称"江波龙"）与金士顿科技公司（Kingston Technology Corporation) 于11月27日共同签署了意向性备忘录，宣布发挥各自优势，将共同出资设立合资公司，双方分别持有合资公司51%和49%的股份（后续双方将签订具体协议文件，并视届时具体安排依规履行各项审批义务及信息披露义务）。
Mavell裁撤台湾闪存控制器研发团队，200人被裁！
11月17日消息，据业内爆料称，受NAND Flash市场长期疲软的影响，芯片设计厂商Marvell近期已经对其位于中国台湾的SSD闪存控制器研发团队进行了裁撤，裁员人数高达200人。
长江存储“亮剑”：在美起诉美光侵犯其8项3D NAND专利！
11月11日消息，芯智讯通过美国加州北区地方法院最新公布的信息了解到，中国3D NAND闪存制造商——长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）已于11月9日在美国加州北区地方法院对美国美光科技公司（MICRON）和美光消费类产品事业部（MICRON CONSUMER PRODUCTS GROUP, LLC）（以下统称“美光”）提起诉讼，指控美光侵犯了其8项与3D NAND相关的美国专利。
密码保护：传小米14有采用国产232层NAND Flash
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传三星将逐季对NAND涨价20%，累计涨幅或超70%！
11月2日消息，据韩国媒体Pulse引述半导体产业多位消息人士谈话指出，三星将在本季度对NAND Flash芯片报价上调10%至20%之后，还将会在明年一季度和二季度再逐季涨价20%，涨价幅度远超乎业界预期。如果三星真的按照这个计划来涨价的话，明年三季度调涨后的价格将会比本季度未涨价之前上涨超70%。
江波龙三季度营收28.72亿元，同比增长66.62%
10月26日晚间，存储器厂商江波龙电子公布了2023年三季报，营收同比大涨，净利润依然亏损，但亏损额环比收窄。
SK海力士三季度净亏损2.1847万亿韩元！反对铠侠和西部数据合并！
10月26日，韩国存储芯片大厂SK海力士今日发布了截至2023年9月30日的2023财年第三季度财务报告。
获“无限期豁免”后，三星西安工厂将升级236层NAND技术！
10月22日消息，据外媒体报道，存储芯片大厂三星在获得美国政府对其在中国的工厂的“无限期豁免”之后，使得三星在中国的工厂将无需特别许可申请，就可进口美国芯片设备来进行升级或扩产的动作。
三星证实明年将生产300层以上的NAND Flash
10月19日消息，据外媒Tomshardware报道，韩国存储芯片大厂三星公布了V-NAND（即3D NAND）发展计划，证实将在2024年生产超过300层的第九代V-NAND芯片。
