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三星即将推出280层3D QLC NAND Flash
1月30日消息，三星已宣布即将于2月18日至2月22日在美国旧金山举行的IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，介绍其280层堆叠的3D QLC NAND Flash，这将是迄今为止储存数据密度最高的新型3D QLC NAND Flash。
传长鑫存储已量产18.5nm DRAM芯片
1月26日消息，据外媒报道，国产DRAM芯片厂商长鑫存储（CXMT）位于合肥的新工厂已经开始批量生产 18.5 纳米工艺的 DRAM 芯片，合肥工厂一期已接近满负荷生产，月产量达到 100000 片晶圆。即将进行的二期扩建将在 2024 年底前完成，每月增加 40000 片晶圆，让长鑫存储的 DRAM 总产能达到全球规模的 10%。
NAND Flash模组供不应求，一季度SSD价格将大幅上涨？
1月23日消息，据外媒Tom’s Hardware报导，有市场人士表示，由4个或8个NAND Flash芯片组成的NAND封装模组已经供不应求，特别是大容量消费级SSD的价格或许会继续上涨，而且预计一季度晚些时候会出现。
若供应商若能谨慎控制产能，DRAM及NAND Flash合约价涨势将延续至四季度
1月19日消息，据市场研究机构TrendForce的最新研究显示，DRAM产品合约价自2021年第四季开始下跌，在连跌八个季度之后，2023年第四季度开始恢复增长。NAND Flash合约价自2022年第三季开始下跌，连跌了四个季度之后，至2023年第三季度开始恢复增长。在面对2024年市场需求展望仍保守的前提下，故涨势能否延续将取决于上游原厂是否持续且有效的控制产能利用率。
2024年一季度NAND Flash合约价将环比上涨15%~20%
1月9日消息，市场研究机构TrendForce最新发布的研究报告显示，尽管适逢传统淡季需求呈现下降趋势，但为避免缺货，买方持续扩大NAND Flash产品采购以建立安全库存水位，供应商为减少亏损，对推高价格也势在必行，预估2024年第一季NAND Flash合约价季涨幅约15%~20%。
NAND Flash晶圆11月价格暴涨25%
12月11日消息，在三星、SK海力士及美光等头部存储芯片的持续扩大减产的背景之下，11月NAND Flash wafer价格涨幅超过25%。由于原厂减产后供给减少，再加上原厂主动进行涨价，部分存储模块厂只能接受原厂涨价，特别是在“原厂还会继续涨价”的预期心理下，存储模组厂商持续抢货，将进一步推升了12月的价格涨幅。
西部数据发涨价函：NAND Flash价格将周期性上调，预计将累计上涨55%！
12月7日消息，据《经济日报》报道，全球第四大NAND Flash闪存供应商西部数据近日对客户发出涨价通知函，强调未来几个季度NAND Flash产品的价格将采取周期性调涨方式，预期累计将上涨55%。此外，西部数据还指出，公司硬盘（HDD）产品会也每周审查定价，预计明年上半年价格会上涨。
江波龙将与金士顿将成立合资公司，将面向中国大陆客户提供嵌入式存储产品
12月2日消息， 深圳市江波龙电子股份有限公司（以下简称"江波龙"）与金士顿科技公司（Kingston Technology Corporation) 于11月27日共同签署了意向性备忘录，宣布发挥各自优势，将共同出资设立合资公司，双方分别持有合资公司51%和49%的股份（后续双方将签订具体协议文件，并视届时具体安排依规履行各项审批义务及信息披露义务）。
Mavell裁撤台湾闪存控制器研发团队，200人被裁！
11月17日消息，据业内爆料称，受NAND Flash市场长期疲软的影响，芯片设计厂商Marvell近期已经对其位于中国台湾的SSD闪存控制器研发团队进行了裁撤，裁员人数高达200人。
长江存储“亮剑”：在美起诉美光侵犯其8项3D NAND专利！
11月11日消息，芯智讯通过美国加州北区地方法院最新公布的信息了解到，中国3D NAND闪存制造商——长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）已于11月9日在美国加州北区地方法院对美国美光科技公司（MICRON）和美光消费类产品事业部（MICRON CONSUMER PRODUCTS GROUP, LLC）（以下统称“美光”）提起诉讼，指控美光侵犯了其8项与3D NAND相关的美国专利。
密码保护：传小米14有采用国产232层NAND Flash
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