三星将于本月量产290层NAND，明年还将推出430层NAND
4月12日消息，据韩国媒体据Kedglobal报道，全球最大的存储芯片制造商三星电子公司将于本月晚些时候开始批量生产 290 层第九代垂直 (V9) NAND 芯片，以引领行业向高堆叠高密度闪存过渡的竞争对手。另据业内消息人士于本周四表示，随着人工智能时代对高性能和大型存储设备的需求增长，三星电子还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
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西部数据再发涨价函：NAND Flash及机械硬盘全面涨价！
4月9日消息，随着人工智能市场需求的爆发，推动了NAND Flash闪存及大容量机械硬盘（HDD）的需求及价格的上涨。存储大厂西部数据已于4月8日向供应商发布了涨价通知函，宣布将在本季度继续对NAND Flash和HDD产品进行涨价。
铠侠计划在2031年量产1000层3D NAND Flash！
4月6日消息，据外媒Xtech Nikkei报道，日本存储芯片大厂铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima表示，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。
2024年二季度NAND Flash合约价将上涨18％
3月29日消息，根据TrendForce集邦咨询最新发布的报告显示，除了铠侠（Kioxia）和西部数据（WDC）自今年第一季起提升产能利用率外，其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND Flash采购量较第一季小幅下滑，但整体市场氛围持续受供应商库存降低，以及减产效应影响，预估第二季NAND Flash合约价将强势上涨约13~18%。
长江存储推出新一代QLC闪存：读写速度提升100%，寿命可达4000次擦写！
3月22日消息，近日的中国闪存市场峰会上，长江存储展示了一系列产品和技术解决方案，包括新一代QLC 3D NAND闪存，内部代号“X3-6070”，就有着极为优秀的素质，可满足企业级、消费级、嵌入式全场景的应用需求。
营收大涨58%，股价暴涨14%！美光：明年绝大部分HBM产能已售罄！
当地时间3月20日，美国存储芯片大厂美光（Micron）公布了截至2024年2月29日的2024财年第二季财报。
铠侠及西部数据产能利用率已提升至90%
3月19日消息，据市场研究机构TrendForce的研究显示，在目前NAND Flash涨价将持续至第二季的预期下，部分供应商为了减少亏损、降低成本，并寄望于今年重回获利，已计划提升产能。今年3月起，铠侠/西部数据已率先将产能利用率恢复至近90%，不过其余业者均未明显增加投产规模。
存储芯片涨价+增产，三星一季度利润将暴涨669%？
3月18日消息，受过去两年半导体市场需求下滑的影响，三星存储芯片部门连续多个季度一直处于亏损当中。财报显示，整个2023财年，三星的半导体业务亏损额高达14.88万亿韩元（约合人民币800.5亿元）。不过，在2023年一季度后，三星启动了减产计划，推动了半导体业务的亏损持续收窄，其中DRAM业务已率先于2023年四季度扭亏为盈。现在，随着市场需求的持续回暖，以及NAND Flash价格的回升，将带动三星半导体乃至整个三星电子业绩的改善。
三星NAND Flash将涨价15%-20%！
3月15日消息，继此前NAND Flash主控芯片厂慧荣科技总经理苟嘉章表示，NAND Flash第二季度的价格预计将会继续上涨20%之后，韩国《朝鲜日报》近日也报道称，三星将针对手机、PC和服务器等客户重新议价，预计将对NAND Flash涨价15%~20%。
传三星西安NAND厂产能利用率已恢复至70%！
3月12日消息，据韩国媒体TheElec引述未具名消息人士报导称，三星电子正在提升其位于中国西安NAND Flash闪存厂的产能利用率，目前已恢复到了70%左右。
今年二季度NAND Flash将涨价20%！
3月12日消息，自去年下半年以来，NAND Flash市场需求持续回暖，带动其价格也开始持续上涨。根据此前TrendForce发布的数据显示，预估2024年第一季NAND Flash合约价环比涨幅约15%~20%。而NAND Flash控制大厂慧荣总经理苟嘉章近日接受媒体采访时也表示，NAND Flash第二季度的价格预计将会继续上涨20%，并且涨势将延续到2025年上半年。
铠侠调整减产计划，产能利用率将回升至90%！
3月4日消息，据日本《共同通信》报导，因恶化的半导体市况呈现改善，因此铠侠将调整自2022年开始实施的NAND Flash减产措施，以提高产量。据关系人士指出，视实际需求而定，产能利用率预计会在2024年3月回升至90%左右水准。
