铠侠一季度营收同比增长31%，NAND均价环比上涨20%！
5月16日消息，日本存储芯片大厂铠侠于当地时间15日公布了2023财年第四财季（2024自然年一季度）财报，其营收同比大涨31%，净利润也实现了6个季度以来的首度扭亏为盈。
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群联CEO潘健成：NAND Flash价格上涨将冲击消费类市场需求！
5月13日消息，存储控制器大厂群联于10日召开法说会，公布了2024年第一季营收。群联CEO潘健成表示，近期NAND Flash原厂持续推升存储芯片价格，影响了消费类NAND Flash市场的需求。
华为Pura 70 Ultra手机DRAM及NAND揭秘
5月11日消息，TechInsights 最近对华为的 Pura 70 Ultra 和 Pro Plus 系列智能手机进行了拆解和技术分析，虽然Pura 70 Ultra中的DRAM 和 NAND 闪存的封装上虽然没有提供表明制造商的外部标记，但是经过分析发现，其NAND 闪存是由中国厂商制造的，但 DRAM 则来自韩国的三星电子。
三星NAND Flash产能利用率已恢复至90%以上？
4月23日消息，据韩国媒体ETNews报导，有市场人士表示存储芯片大厂三星电子近期已将NAND Flash闪存的产能利用率提升至90%，相较第一季的80%进一步提升。
佰维存储Q1净利暴涨242.84%，股价涨停！存储芯片涨价能否持续？
4月16日晚间，国产存储模组厂商佰维存储发布了2024年第一季度业绩预告，预计公司第一季度实现营业收入为 170,000 万元至 180,000 万元，同比暴涨 299.54%至 323.04%；实现归属于母公司所有者的净利润为1.5亿元至1.8亿元，同比暴涨219.03%~242.84%，实现扭亏为盈。
三星NAND晶圆投片量趋于保守，产能利用率维持在60%以下
4月17日消息，据韩国媒体《朝鲜日报》报道，三星电子今年一季度在韩国平泽和中国西安NAND Flash闪存生产线的晶圆投片量，相较上一季将提升了约30%。不过，三星方面对进一步的增产仍然保持谨慎态度，希望避免影响到NAND Flash的价格涨势。
三星将于本月量产290层NAND，明年还将推出430层NAND
4月12日消息，据韩国媒体据Kedglobal报道，全球最大的存储芯片制造商三星电子公司将于本月晚些时候开始批量生产 290 层第九代垂直 (V9) NAND 芯片，以引领行业向高堆叠高密度闪存过渡的竞争对手。另据业内消息人士于本周四表示，随着人工智能时代对高性能和大型存储设备的需求增长，三星电子还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
西部数据再发涨价函：NAND Flash及机械硬盘全面涨价！
4月9日消息，随着人工智能市场需求的爆发，推动了NAND Flash闪存及大容量机械硬盘（HDD）的需求及价格的上涨。存储大厂西部数据已于4月8日向供应商发布了涨价通知函，宣布将在本季度继续对NAND Flash和HDD产品进行涨价。
铠侠计划在2031年量产1000层3D NAND Flash！
4月6日消息，据外媒Xtech Nikkei报道，日本存储芯片大厂铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima表示，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。
2024年二季度NAND Flash合约价将上涨18％
3月29日消息，根据TrendForce集邦咨询最新发布的报告显示，除了铠侠（Kioxia）和西部数据（WDC）自今年第一季起提升产能利用率外，其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND Flash采购量较第一季小幅下滑，但整体市场氛围持续受供应商库存降低，以及减产效应影响，预估第二季NAND Flash合约价将强势上涨约13~18%。
长江存储推出新一代QLC闪存：读写速度提升100%，寿命可达4000次擦写！
3月22日消息，近日的中国闪存市场峰会上，长江存储展示了一系列产品和技术解决方案，包括新一代QLC 3D NAND闪存，内部代号“X3-6070”，就有着极为优秀的素质，可满足企业级、消费级、嵌入式全场景的应用需求。
营收大涨58%，股价暴涨14%！美光：明年绝大部分HBM产能已售罄！
当地时间3月20日，美国存储芯片大厂美光（Micron）公布了截至2024年2月29日的2024财年第二季财报。
