SK海力士拟对NAND Flash减产10%
1月15日消息，继传闻三星电子对韩国华城的12号和17号生产线进行减产，以及对中国西安NAND Flash工厂减产10%之后，据韩国媒体TheElec报导称，SK海力士也计划今年上半年将其NAND Flash产能降低10%。
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传三星西安NAND Flash工厂减产超10%！
1月13日消息，据业内传闻显示，三星电子已决定削减其位于中国西安工厂的NAND Flash投片量减少超过10%。由于目前全球NAND Flash已经供过于求，或将导致今年NAND Flash价格大幅下跌，三星电子减产举措似乎是为了推动NAND Flash价格企稳，以减少NAND Flash业务的损失。
原厂库存增加与淡季需求疲软，2025年一季度NAND Flash价格将下跌超10%
12月31日消息，根据市场研究机构TrendForce集邦咨询最新公布的调查报告显示，2025年第一季NAND Flash供货商将面临库存持续上升，订单需求下降等挑战，平均合约价恐环比下跌10%至15%。
慧荣科技苟嘉章：NAND Flash市场将在2025年下半年复苏，DRAM市场将有新变化
12月25日，存储控制器芯片大厂慧荣科技总经理苟嘉章在新竹接受媒体采访时表示，从NAND Flash市场走势来看，2025年上半年一季度可能会比较低迷，但是下半年将会有所恢复。
募资8亿美元！铠侠IPO定价每股1455日元，将成日本今年最大IPO
12月10日消息，日本NAND Flash大厂铠侠（Kioxia）于9日宣布，其将于12月18日于东京证券交易所的“东证Prime市场”正式IPO上市，最终敲定的发行价格为每股1455日元，超出了此前预估的1390日元。
三星完成400层NAND Flash开发，最快2025年二季度末量产
12月9日消息，根据韩国媒体BusinessKorea报道称，三星电子在其半导体研究所中已经成功完成了突破性400层堆叠NAND Flash闪存技术的开发。同时，三星也自上个月开始，将这项先进技术转移到其平泽园区一号工厂中大规模生产线。而这一重要的里程碑的达成，将使得三星处于NAND Flash技术的领先位置，将有望领先已经宣布计划量产321层NAND Flash的SK海力士。
三星将推出400+层第10代V-NAND
12月4日消息，据Tom's hardware报道，三星将在即将举行的国际固态电路会议（ISSCC）上展示新的超过400层3D NAND Flash，接口速度为5.6 GT/s。
SK海力士开始量产全球最高的321层NAND Flash
韩国存储芯片大厂SK海力士于11月21日宣布，开始率先量产全球最高的321层 1Tb TLC 14D NAND Flash，计划从明年上半年起向客户提供产品。
传NAND Flash大厂铠侠将于12月中旬上市，市值预计7500亿日元
11月21日消息，据日经新闻、路透社等外媒报道，日本NAND Flash大厂铠侠（Kioxia）预计将在今年12月中旬在日本IPO上市，市值预估为7,500亿日元，将远低于原先设定的1.5万亿日元目标。
江波龙自研SLC NAND Flash累计出货突破1亿颗！
11月15日消息，国产存储芯片大厂江波龙近日宣布，公司充分发挥自身芯片设计能力，持续积极投入存储芯片设计业务，截至目前自研的SLC NAND Flash累计出货已突破1亿颗！
为应对市场需求变化，三星平泽P4一期将转为同时生产DRAM和NAND Flash
根据韩国媒体ZDNET Korea的报导称，韩国三星电子内部已经于第三季度决定调整平泽园区P4产线第一期（Phase 1）的产能分配，即从单纯的生产NAND Flash，调整为生产NAND Flash + DRAM，以应对市场需求变化。
铠侠宣布斥资16.75亿元研发下一代内存
据《日经新闻》报道，日本NAND Flash大厂铠侠宣布，将在未来3年内，投资360亿日元（约合人民币16.75亿元），研发面向AI的下一代更省电的内存，目标在2030年代前半段实现商业化。而日本政府最高将提供50%的补贴。
