江波龙多款新品亮相MemoryS 2025，探索存储商业综合创新之路
3月12日，MemoryS 2025在深圳盛大开幕，汇聚了存储行业的顶尖专家、企业领袖以及技术先锋，共同探讨存储技术的未来发展方向及其在商业领域的创新应用。江波龙董事长、总经理蔡华波先生受邀出席，并发表了题为《存储商业·综合创新》的主旨演讲，分享公司存储商业模式创新和综合服务能力的构建。
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历史首次！三星将使用长江存储专利技术！
据韩国媒体ZDNet Korea 2月24日报道称，三星电子近期已与中国存储芯片厂商长江存储签署了开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”（Hybrid Bonding）技术的专利许可协议，以便从其第10代（V10）NAND Flash产品（430层）开始使用该专利技术来进行制造。
今年一季度NAND Flash价格将继续下跌13-18%，下半年才有望回升
2月17日消息，根据市场研究机构TrendForce调查显示，今年第一季NAND Flash市场将持续面临供过于求的挑战，导致价格下滑13-18%，供应商面临亏损困境。
AI需求加持及NAND涨价，铠侠营收及净利润创新高！
2月14日，存储芯片大厂于日股盘后公布2024财年前三季（2024年4-12月）财报。这也是铠侠在2024年12月挂牌上市后、公布的第一份财报。
三星西安工厂将升级286层NAND Flash工艺
2月13日消息，据BusinessKorea韩国媒体报导，三星正计划将其位于中国西安的工厂升级至286层堆叠的NAND Flash闪存制程技术，以应对当前的市场低迷且日益激烈的竞争状态。
国产存储芯片实现重大突破！
近日，半导体研究机构TechInsights对于长江存储（YMTC）和长鑫存储（CXMT）最新在售的存储芯片进行拆解分析，认为中国存储芯片技术迎来了众多突破。
SK海力士拟对NAND Flash减产10%
1月15日消息，继传闻三星电子对韩国华城的12号和17号生产线进行减产，以及对中国西安NAND Flash工厂减产10%之后，据韩国媒体TheElec报导称，SK海力士也计划今年上半年将其NAND Flash产能降低10%。
传三星西安NAND Flash工厂减产超10%！
1月13日消息，据业内传闻显示，三星电子已决定削减其位于中国西安工厂的NAND Flash投片量减少超过10%。由于目前全球NAND Flash已经供过于求，或将导致今年NAND Flash价格大幅下跌，三星电子减产举措似乎是为了推动NAND Flash价格企稳，以减少NAND Flash业务的损失。
原厂库存增加与淡季需求疲软，2025年一季度NAND Flash价格将下跌超10%
12月31日消息，根据市场研究机构TrendForce集邦咨询最新公布的调查报告显示，2025年第一季NAND Flash供货商将面临库存持续上升，订单需求下降等挑战，平均合约价恐环比下跌10%至15%。
慧荣科技苟嘉章：NAND Flash市场将在2025年下半年复苏，DRAM市场将有新变化
12月25日，存储控制器芯片大厂慧荣科技总经理苟嘉章在新竹接受媒体采访时表示，从NAND Flash市场走势来看，2025年上半年一季度可能会比较低迷，但是下半年将会有所恢复。
募资8亿美元！铠侠IPO定价每股1455日元，将成日本今年最大IPO
12月10日消息，日本NAND Flash大厂铠侠（Kioxia）于9日宣布，其将于12月18日于东京证券交易所的“东证Prime市场”正式IPO上市，最终敲定的发行价格为每股1455日元，超出了此前预估的1390日元。
三星完成400层NAND Flash开发，最快2025年二季度末量产
12月9日消息，根据韩国媒体BusinessKorea报道称，三星电子在其半导体研究所中已经成功完成了突破性400层堆叠NAND Flash闪存技术的开发。同时，三星也自上个月开始，将这项先进技术转移到其平泽园区一号工厂中大规模生产线。而这一重要的里程碑的达成，将使得三星处于NAND Flash技术的领先位置，将有望领先已经宣布计划量产321层NAND Flash的SK海力士。
