开盘大涨76%！“国产存储器第一股”江波龙正式登陆创业板
2022年8月5日，深圳市江波龙电子股份有限公司（以下简称“江波龙”或“公司”）首次公开发行股票成功登陆A股创业板，正式在深圳证券交易所挂牌上市，股票代码为“301308”，标志着公司迈入新的发展阶段。
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SK海力士发布全球首款238层闪存芯片，明年上半年量产
8月3日消息，韩国存储芯片制造商SK海力士今日表示，该公司成功研发出全球首款业界最高层数的238层512Gb TLC（Triple Level Cell）4D闪存芯片（NAND）样品，该芯片将于明年上半年实现量产。
时创意存储集成电路产业基地开工奠基仪式圆满成功！
2022年8月2日下午，深圳市时创意电子有限公司（以下简称时创意）举办“存储集成电路产业基地”项目开工奠基仪式。
美国拟对华禁售128层以上NAND Flash制造设备
8月2日消息，据路透社援引四位知情人士的消息报道称，美国正考虑限制向中国存储芯片制造商出口美国的芯片制造设备。至于，限制的对象，其中就包括长江存储，美国希望借此来限制中国的半导体产业发展，并保护美国的相关企业。
国产存储器第一股！江波龙即将登陆创业板：双品牌推动自主存储产业生态圈
今年6月29日，证监会核准了深圳市江波龙电子份有限股公司首次公开发行股票并在创业板上市的审核意见及注册申请，进入创业板上市发行环节，有望成为注册制下创业板中国存储器第一股。
消费需求走弱及价格续跌，第一季NAND Flash总营收衰退3.0%
5月26日消息，据TrendForce集邦咨询发布的最新报告显示，2022年第一季NAND Flash位元出货量环比下跌0.5%，平均销售单价环比下跌2.3%，使得整体产业营收环比下滑3.0%，达179.2亿美元。
长江存储开始向客户交付192层3D NAND样品，预计年底正式量产
5月18日消息，据台湾《电子时报》援引消息人士的话报道称，长江存储最近已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品，预计将在今年年底前正式推出相应产品。
SK海力士在大连扩大投资并建设新晶圆工厂
5月16日，爱思开海力士·英特尔DMTM半导体（大连）有限公司非易失性存储器项目在大连金普新区举行开工仪式。该项目将建设一座新的晶圆工厂，从事非易失性存储器3D NAND芯片产品的生产。
西部数据将量产162层3D NAND：一块晶圆容量可达100TB
5月17日消息，近日西部数据宣布，与铠侠联合开发的BiCS NAND闪存将进入第六代，堆叠层数达到162层，今年即投入量产。
长江存储自研SSD主控来了！
近几年来，随着国产存储芯片厂商长江存储在3D NAND Flash闪存领域的大获成功，也开始不断进行产业链延伸，2020年8月就推出了自有品牌——致态(致钛)SSD，现在长江存储又即将推出自研的SSD主控芯片。
美光发布业界首款232层3D NAND Flash，预计年底量产！同时推出三年长合约
近日，存储芯片大厂美光（Micron）发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片，并计划将这款 232 层堆栈 3D NAND Flash芯片应用于包括固态硬盘等产品上，预计在 2022 年底左右开始量产。
NAND Flash主控芯片大厂慧荣科技欲出售，联发科与MaxLinear或将竞购
4月下旬，彭博社就曾爆料称，闪存控制芯片厂商慧荣科技正与顾问业者合作，与潜在收购者进行洽谈有关出售自家股票的可能性，但是具体的买家并不清楚。而最新的消息显示，据知情人士透露，已经与慧荣接洽并考虑收购的厂商包括MaxLinear（迈凌）和联发科。
