Q2亏损近3万亿韩元！SK海力士宣布扩大NAND Flash减产！高端DRAM成增长亮点
7月26日消息，韩国存储芯片大厂 SK 海力士在其最新公布截止6月30日的2023年第二季度财报，受益于人工智能 (AI) 的市场需求，带动了存储芯片的复苏，使得第二季的亏损较上第一季减少。同时，为了加速NAND Flash库存去化，SK海力士还宣布进一步减产NAND Flash。
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NAND刻蚀设备市场的垄断将被打破？
随着摩尔定律的逐步失效，数字逻辑芯片和DRAM芯片随着制程工艺提升所带来的密度优势正在降低，成本却在高速提升。相比之下，NAND Flash闪存的情况却并非如此。与半导体行业的其他行业不同，NAND每年的成本都在大幅下降。
西部数据将分拆闪存业务与铠侠合并，前者将持有超过50%股权
7月17日消息，根据彭博社的报道，在经过几个月的谈判后，西部数据(Western Digital) 和铠侠 (Kioxia) 即将达成合并协议。该协议的内容主要是分拆西部数据的 NAND Flash闪存部门，然后与铠侠合并。之后，西部数据的股东将控制合并后的新公司大约超过一半的股权。不过，目前相关信息仍在保密中。
取消折扣价！供应商拟推动客户四季度提前拉货，促使DRAM价格上涨
7月14日消息，据外媒报道，近日美国市场调查公司发布最新报告指出，美光、西部数据等存储芯片供应商目前正在稳定价格，预计第三季度存储芯片价格下跌幅度将会收窄，2024年将会全面复苏
至讯创新推出19nm 2D SLC NAND闪存产品
在7月11日慕尼黑上海电子展上，至讯创新科技（无锡）有限公司展出了基于19nm 2D SLC NAND闪存的全新量产产品，带来了存储行业在二维闪存芯片领域的最新突破。
2023年三季度NAND Flash均价预计将继续下跌3~8%
7月6日消息，据市场研究机构TrendForce最新发布的报告显示，随着NAND Flash原厂减产幅度持续扩大，实际需求尚未反弹，第三季 NAND Flash 市场仍将处于供给过剩。即便下半年有季节性旺季需求支撑，但目前买方仍持保守的备货态度，抑制了NAND Flash 价格止跌回稳。第三季 NAND Flash Wafer 均价预估将率先上涨；SSD、eMMC、UFS 等模组产品，则因下游客户拉货迟缓，价格续跌，估第三季整体 NAND Flash 均价持续下跌约 3~8%，第四季有望止跌回升。
东京电子推出全新蚀刻技术，可用于堆叠超过400层的3D NAND Flash芯片
6月12日消息，日本半导体设备大厂东京电子（TEL）宣布，其等离子体蚀刻系统的开发和制造基地已经开发出一种创新的通孔蚀刻技术，可以用于堆叠超过400层的先进3D NAND闪存芯片。开发团队的新工艺首次将电介质蚀刻应用带入低温范围，从而打造了一个具有极高蚀刻率的系统。
SK海力士宣布量产238层NAND Flash！
6月8日消息，韩国存储芯片大厂SK 海力士宣布，其最新的238层堆叠的NAND Flash芯片在2022年8月开发完成后，目前已经开始量产，并且产品兼容性正在与一家全球智能手机制造商进行测试当中。
传铠侠与西部数据合并协商进入最后阶段，铠侠将掌纹主导权
6月5日消息，据日本媒体报道，日本 NAND Flash大厂铠侠（Kioxia）和美国西部数据的合并协商已进入最终调整阶段，计划在铠侠掌握主导权之下，持续进行出资比重等方面的协商。
传三星第三季度起将对华城S3产线减产10%
5月26日消息，据韩国媒体Aju News 报道，三星计划自 2023 年第三季度开始，对韩国华城园区 S3 工厂减少至少 10% 的晶圆投片量。这也是三星此前宣布减产存储芯片计划的一部分。
SK海力士预计半导体市场三季度复苏，已启动3.73亿美元筹资计划
5月18日消息，据《韩国经济日报》报道，存储芯片大厂SK海力士正准备启动高达5,000亿韩元（约3.73亿美元）筹资计划，以更好的应对后续的半导体市场复苏。
存储市场持续下滑，成为推动铠侠与西部数据合并的“催化剂”
5月16日消息，据路透社援引消息人士的说法指出，日本存储芯片大厂铠侠（Kioxia）和美国存储厂商西部数据（Western Digital） 正在加快合并谈判，并已敲定交易结构。而促成这样结果的原因，主要是由于存储芯片市场的持续低迷，迫使两家存储芯片厂商考虑通过合并提升竞争力及抗风险能力。
