三星带头，NAND Flash“涨声”响起！
8月17日，据Digitime报道称，国内的NAND Flash模组厂近日已暂停报价及接单，将配合原厂（三星）报价调高8~10%。此举将有望拉动NAND Flash价格逐步回升到制造成本线。
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三星第9代V-NAND闪存明年量产：采用双堆栈架构，超过300层
8月18日消息，据DigiTimes报道，三星准备明年开始生产第9代V-NAND技术的产品，将超过300层，继续沿用双堆栈架构。
三星与SK海力士半导体库存累计突破50万亿韩元！
8月16日消息，据韩国媒体Etnews报导，两大內存商三星和SK海力士最新公布的半年报显示，截至6月底，三星半导体业务DS部门库存金额为33.6896万亿韩元，SK海力士的半导体库存金额为16.4202万亿韩元，与2022年底时的库存金额相比分别增长了15.9%和4.8%。
SK海力士发布321层4D NAND Flash闪存样品，性能提升59%！
SK海力士于8月8日宣布，借助其最新发布的321层堆叠4D NAND Flash闪存样品，使其正式成为业界第一家完成300层以上堆叠NAND Flash闪存开发的公司。
NAND Flash需求持续萎靡，铠侠新厂延后启用
据日本媒体“岩手日报”7月31日报导，由于NAND Flash需求不振，日本 NAND Flash 大厂铠侠（Kioxia）兴建中的新厂启用时间可能将延后至2024年。
Q2营业利润同比暴跌95%！三星宣布延长减产计划
7月27日，三星电子发布第二季度财报显示，该季营业收入为60万亿韩元，同比下滑22.28%；营业利润为6685亿韩元，同比下滑95%；净利润1.72万亿韩元，同比下滑84.5%，但较第一季度增长9.6%；这个业绩数据与三星本月7日公布的业绩快报（销售额60万亿韩元、营业利润6000亿韩元）基本持平。
Q2亏损近3万亿韩元！SK海力士宣布扩大NAND Flash减产！高端DRAM成增长亮点
7月26日消息，韩国存储芯片大厂 SK 海力士在其最新公布截止6月30日的2023年第二季度财报，受益于人工智能 (AI) 的市场需求，带动了存储芯片的复苏，使得第二季的亏损较上第一季减少。同时，为了加速NAND Flash库存去化，SK海力士还宣布进一步减产NAND Flash。
NAND刻蚀设备市场的垄断将被打破？
随着摩尔定律的逐步失效，数字逻辑芯片和DRAM芯片随着制程工艺提升所带来的密度优势正在降低，成本却在高速提升。相比之下，NAND Flash闪存的情况却并非如此。与半导体行业的其他行业不同，NAND每年的成本都在大幅下降。
西部数据将分拆闪存业务与铠侠合并，前者将持有超过50%股权
7月17日消息，根据彭博社的报道，在经过几个月的谈判后，西部数据(Western Digital) 和铠侠 (Kioxia) 即将达成合并协议。该协议的内容主要是分拆西部数据的 NAND Flash闪存部门，然后与铠侠合并。之后，西部数据的股东将控制合并后的新公司大约超过一半的股权。不过，目前相关信息仍在保密中。
取消折扣价！供应商拟推动客户四季度提前拉货，促使DRAM价格上涨
7月14日消息，据外媒报道，近日美国市场调查公司发布最新报告指出，美光、西部数据等存储芯片供应商目前正在稳定价格，预计第三季度存储芯片价格下跌幅度将会收窄，2024年将会全面复苏
至讯创新推出19nm 2D SLC NAND闪存产品
在7月11日慕尼黑上海电子展上，至讯创新科技（无锡）有限公司展出了基于19nm 2D SLC NAND闪存的全新量产产品，带来了存储行业在二维闪存芯片领域的最新突破。
2023年三季度NAND Flash均价预计将继续下跌3~8%
7月6日消息，据市场研究机构TrendForce最新发布的报告显示，随着NAND Flash原厂减产幅度持续扩大，实际需求尚未反弹，第三季 NAND Flash 市场仍将处于供给过剩。即便下半年有季节性旺季需求支撑，但目前买方仍持保守的备货态度，抑制了NAND Flash 价格止跌回稳。第三季 NAND Flash Wafer 均价预估将率先上涨；SSD、eMMC、UFS 等模组产品，则因下游客户拉货迟缓，价格续跌，估第三季整体 NAND Flash 均价持续下跌约 3~8%，第四季有望止跌回升。
