关于High NA EUV光刻，你应该了解的5件事
经过十年的研发，ASML 于 2023 年 12 月正式向英特尔交付了首个High-NA（高数值孔径）EUV 光刻系统——TWINSCAN EXE:5000的首批模块， 代表着尖端芯片制造向前迈出了重要一步。
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传英特尔已采购了6套High-NA EUV光刻机
12月19日消息，据外媒sammobile的报道，韩国三星日前与荷兰半导体设备商ASML签署了价值1万亿韩元（约7.55亿美元）的协议，两家公司将在韩国投资建造半导体芯片研究工厂，并将在该研究工厂开发新一代EUV半导体制造技术。三星电子副董事长兼设备解决方案部门负责人Kyung Kye-hyun强调，两家公司的最新协议将帮助其获得下一代High-NA EUV光刻机。
ASML将与三星共同投资54.5亿元在韩国建研发中心
12月13日消息，光刻机大厂ASML宣布，已与韩国三星电子签署备忘录，将共同投资1万亿韩元（约合人民币54.5元）在韩国建立研究中心，并将利用下一代极紫外（EUV）光刻机研究先进半导体制程技术。另外，ASML也宣布与SK海力士签署ESG备忘录，双方在包括环境、社会和公司治理项目展开合作。
斥资100亿美元！纽约州携手IBM/美光/应用材料/东京电子建High-NA EUV研发中心
12月13日消息，当地时间11日，美国纽约州长Kathy Hochul宣布，与包括IBM、美光、应用材料（Applied Materials）、东京电子（Tokyo Electron）等半导体大厂达成一项合作协议，预计将投资100亿美元在纽约州Albany NanoTech Complex（奥尔巴尼纳米技术综合体）兴建下一代High-NA EUV半导体研发中心，以支持世界上最复杂、最强大的半导体的研发。
ASML：将按计划在年底推出首款High NA EUV光刻机
9月6日消息，据路透社报导，全球光刻机大厂ASML CEO Peter Wennink表示，尽管有些供应商遇到了一些阻碍，但今年年底将照计划推出下一代的High NA（高数值孔径）EUV产品线的首款产品。
High-NA EUV光刻的挑战与应对方案！
半导体技术的未来通常是通过光刻设备的镜头来看待的，尽管几乎永远存在着极具挑战性的技术问题，但光刻设备仍能为未来的工艺节点提供更好的分辨率。
ASML：2025年量产下一代EUV光刻机！
近日，光刻机巨头ASML正式发布2022年度财报。报告显示，ASML在2022年销售额达到212亿欧元（约合人民币1554亿元），与2021年相比增长了13.8%，毛利率为49.7%。
ASML首席技术官：当前光刻技术或走到尽头，High-NA EUV可能成为终点
近年来，ASML站到了世界半导体技术的中心位置。去年ASML两次提高了生产目标，希望到2025年，其年出货量能达到约600台DUV（深紫外光）光刻机以及90台EUV（极紫外光）光刻机。由于持续的芯片短缺，交付问题每天都在发生，而且ASML还遇到了柏林工厂火灾这样的意外。
ASML拼命研制的新款High-NA EUV光刻机：或是最后一代
ASML一直处于高度戒备状态。
台积电将于2024年取得ASML High-NA EUV光刻机，2025年量产2nm
9月12日消息，据台湾媒体报道，目前台积电先进制程进展顺利，3nm制程将于今年下半年量产，升级版3nm（N3E）制程将于2023年量产，2nm制程将会在预定的2025年量产。
Intel欲首发！新一代EUV光刻机空前先进：成本超3亿美金
半导体行业正在全速前进以开发高数值孔径（high-NA ）EUV，但开发下一代光刻系统和相关基础设施仍然是一项艰巨而昂贵的任务。
