为降低DRAM制造成本，传美光将率先采用佳能纳米压印设备
据外媒报道称，美光近日在一场演讲当中介绍了如何将纳米压印技术用于DRAM生产的细节，这似乎也预示着美光将会率先采用佳能的NIL设备用于DRAM芯片的生产，以便进一步降低DRAM的制造成本。
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High NA EUV主要部件已经启动，达成“第一道光”里程碑！
2月29日消息，据外媒Tomshardware报导，ASML与英特尔于本周宣布达成了High NA EUV的重要里程碑。ASML已向英特尔交付的最先进High NA EUV光刻机Twinscan EXE:5000的主要部件已经启动，即首度打开光源并使光线到达晶圆上的抗蚀层，并开始运作，表示光源和反射镜已正确对准。这是High-NA EUV光刻机启动过程中的关键一步，尽管目前尚未达到峰值性能。
单台3.5亿欧元！ASML首次公开展示High NA EUV光刻机：拐点将在2026年左右到来！
近日，全球光刻机大厂ASML展示了最新一代的High NA EUV光刻机，除了已经率先获得全球首台High NA EUV光刻机的英特尔之外，台积电和三星订购High NA EUV预计最快2026年陆续到位，届时High NA EUV将成为全球三大晶圆制造厂实现2nm以下先进制程大规模量产的必备“武器”。
关于High NA EUV光刻，你应该了解的5件事
经过十年的研发，ASML 于 2023 年 12 月正式向英特尔交付了首个High-NA（高数值孔径）EUV 光刻系统——TWINSCAN EXE:5000的首批模块， 代表着尖端芯片制造向前迈出了重要一步。
ASML High-NA EUV的困境：Low-NA EUV双重图案化更具成本优势！
传英特尔已采购了6套High-NA EUV光刻机
12月19日消息，据外媒sammobile的报道，韩国三星日前与荷兰半导体设备商ASML签署了价值1万亿韩元（约7.55亿美元）的协议，两家公司将在韩国投资建造半导体芯片研究工厂，并将在该研究工厂开发新一代EUV半导体制造技术。三星电子副董事长兼设备解决方案部门负责人Kyung Kye-hyun强调，两家公司的最新协议将帮助其获得下一代High-NA EUV光刻机。
ASML将与三星共同投资54.5亿元在韩国建研发中心
12月13日消息，光刻机大厂ASML宣布，已与韩国三星电子签署备忘录，将共同投资1万亿韩元（约合人民币54.5元）在韩国建立研究中心，并将利用下一代极紫外（EUV）光刻机研究先进半导体制程技术。另外，ASML也宣布与SK海力士签署ESG备忘录，双方在包括环境、社会和公司治理项目展开合作。
斥资100亿美元！纽约州携手IBM/美光/应用材料/东京电子建High-NA EUV研发中心
12月13日消息，当地时间11日，美国纽约州长Kathy Hochul宣布，与包括IBM、美光、应用材料（Applied Materials）、东京电子（Tokyo Electron）等半导体大厂达成一项合作协议，预计将投资100亿美元在纽约州Albany NanoTech Complex（奥尔巴尼纳米技术综合体）兴建下一代High-NA EUV半导体研发中心，以支持世界上最复杂、最强大的半导体的研发。
ASML：将按计划在年底推出首款High NA EUV光刻机
9月6日消息，据路透社报导，全球光刻机大厂ASML CEO Peter Wennink表示，尽管有些供应商遇到了一些阻碍，但今年年底将照计划推出下一代的High NA（高数值孔径）EUV产品线的首款产品。
High-NA EUV光刻的挑战与应对方案！
半导体技术的未来通常是通过光刻设备的镜头来看待的，尽管几乎永远存在着极具挑战性的技术问题，但光刻设备仍能为未来的工艺节点提供更好的分辨率。
ASML：2025年量产下一代EUV光刻机！
近日，光刻机巨头ASML正式发布2022年度财报。报告显示，ASML在2022年销售额达到212亿欧元（约合人民币1554亿元），与2021年相比增长了13.8%，毛利率为49.7%。
ASML首席技术官：当前光刻技术或走到尽头，High-NA EUV可能成为终点
近年来，ASML站到了世界半导体技术的中心位置。去年ASML两次提高了生产目标，希望到2025年，其年出货量能达到约600台DUV（深紫外光）光刻机以及90台EUV（极紫外光）光刻机。由于持续的芯片短缺，交付问题每天都在发生，而且ASML还遇到了柏林工厂火灾这样的意外。
