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进入埃米级制程工艺，为什么需要CFET？

据Semiwiki报道，在 IEDM 2023 上，imec的CMOS元件专案总监NaotoHoriguchi详细介绍了 CFET 和中段集成。这篇文章是基于他在 IEDM 上的演讲以及与文章作者Scotten Jones后续讨论所形成的。Naoto Horiguchi 是逻辑技术开发领域的领导者之一，习惯以易于理解的方式解释技术，反应灵敏且易于合作。

抢先台积电，三星3nm GAA工艺成功流片

目前全球已量产的最先进半导体工艺是5nm，台积电此前表示，2022年下半年将量产3nm工艺，不过在3nm节点台积电依然选择FinFET晶体管技术，而三星则选择了GAA（Gate-all-around）技术。近日，三星对宣布其基于GAA技术的3nm制程成已成功流片（Tape Out）。

首发GAA晶体管技术，三星3nm工艺成功流片

目前全球已量产的最先进工艺是5nm，台积电明年就要量产3nm工艺，不过3nm节点他们依然选择FinFET晶体管技术，三星则选择了GAA技术，日前三星也成功流片了3nm GAA芯片，迈出了关键一步。