单台3.5亿欧元！ASML首次公开展示High NA EUV光刻机：拐点将在2026年左右到来！
近日，全球光刻机大厂ASML展示了最新一代的High NA EUV光刻机，除了已经率先获得全球首台High NA EUV光刻机的英特尔之外，台积电和三星订购High NA EUV预计最快2026年陆续到位，届时High NA EUV将成为全球三大晶圆制造厂实现2nm以下先进制程大规模量产的必备“武器”。
标签： EUV光刻机
关于High NA EUV光刻，你应该了解的5件事
经过十年的研发，ASML 于 2023 年 12 月正式向英特尔交付了首个High-NA（高数值孔径）EUV 光刻系统——TWINSCAN EXE:5000的首批模块， 代表着尖端芯片制造向前迈出了重要一步。
SK海力士无锡厂工艺升级，巧用一招化解EUV制程难题！
1月16日消息，根据韩国媒体引用市场人士的说法报道指出，SK海力士计划将中国无锡工厂一部分的C2晶圆厂产能，提升至采用10nm级的第四代（1a）DRAM制程技术，以为了接下来因应市场的需求进行扩产做准备。
佳能：通过改进光罩，纳米压印设备可以生产2nm芯片！
12月26日消息，日本光刻机大厂佳能（Canon）在今年10月13日宣布推出可以制造尖端芯片的纳米压印（Nanoprinted lithography，NIL）设备FPA-1200NZ2C之后，佳能首席执行官御手洗富士夫近日在接受采访时再度表示，该公司新的纳米压印技术将为小型半导体制造商生产先进芯片开辟一条道路，使得生产先进芯片的技术不再只有少数大型半导体制造商所独享。
ASML开始向英特尔交付首套High-NA EUV光刻机，售价超3亿美元
当地时间12月21日，荷兰光刻机大厂ASML通过社交媒体X平台宣布，其首套High-NA EUV光刻机正从荷兰Veldhoven总部开始装车发货，将向英特尔进行交付。
ASML将与三星共同投资54.5亿元在韩国建研发中心
12月13日消息，光刻机大厂ASML宣布，已与韩国三星电子签署备忘录，将共同投资1万亿韩元（约合人民币54.5元）在韩国建立研究中心，并将利用下一代极紫外（EUV）光刻机研究先进半导体制程技术。另外，ASML也宣布与SK海力士签署ESG备忘录，双方在包括环境、社会和公司治理项目展开合作。
斥资100亿美元！纽约州携手IBM/美光/应用材料/东京电子建High-NA EUV研发中心
12月13日消息，当地时间11日，美国纽约州长Kathy Hochul宣布，与包括IBM、美光、应用材料（Applied Materials）、东京电子（Tokyo Electron）等半导体大厂达成一项合作协议，预计将投资100亿美元在纽约州Albany NanoTech Complex（奥尔巴尼纳米技术综合体）兴建下一代High-NA EUV半导体研发中心，以支持世界上最复杂、最强大的半导体的研发。
ASML三季度净销售额66.7亿欧元，来自中国大陆的收入占比猛增至46%！NXT:1980Di可继续出口
北京2023年10月18日下午，光刻机大厂ASML今日发布了2023年第三季度财报，该季实现净销售额为66.73亿欧元，同比增长约15.51%，环比下跌3.3%；毛利率为51.9%，同比上涨0.1个百分点，环比上涨0.6个百分点；净利润为18.93亿欧元，同比增长约11.76%，环比下跌约2.52%。
俄罗斯自研光刻机最新进展：成本不到37万元！
俄罗斯自研光刻机又有了新进展。
为支持Rapidus 2nm晶圆厂？传ASML将在日本北海道设据点
9月27日消息，据日经新闻、时事通信社等日本媒体报道，荷兰光刻机大厂ASML将于2024年在日本北海道设立新的技术支持据点，以协助日本晶圆制造商Rapidus的2nm晶圆厂对于EUV（极紫外光）光刻设备安装、维修、技术支持方面的需求。
