标签: EUV光刻机

3.5亿欧元!ASML展示High NA EUV光刻机

ASML EUV光刻之路还能走多远?

目前全球几乎所有的7nm以下的制程工艺都全面采用了ASML的EUV光刻机来进行量产,同时随着DRAM制程进入到10nm,美光、三星、SK海力士等存储大厂也开始或计划导入EUV光刻机。
泛林集团:受美国出口管制新规影响,2023年全球晶圆厂设备支出将同比下滑超20%

泛林集团在ALD和EUV光刻胶处理设备领域下重注

美国半导体设备大厂泛林集团(Lam Research)目前正重点关注两项关键技术——原子层沉积 (ALD) 和干式 EUV(极紫外)光刻胶处理相关设备。随着晶体管微缩越来越小、越来越复杂,这两项技术变得越来越重要。
3.5亿欧元!ASML展示High NA EUV光刻机

Q1净利暴涨92%!ASML回应美国关税政策影响

2025年4月16日,光刻机大厂ASML发布2025年第一季度财报。虽然一季度整体业绩出现了环比下滑,但是同比均实现了大幅增长。对于近期美国特朗普关税政策所带来的影响,ASML的高管在财报会议上也进行了回应。
ASML二季度来自中国大陆销售额占比升至24%,浸没式DUV销量环比增长56%-芯智讯

ASML业绩创历史新高,股价大涨!中国大陆净系统销售额占比跌至27%!

2025年1月29日,光刻机大厂ASML发布了2024年第四季度及全年财报,不仅季度及全年营收均创下了历史新高记录,同时四季度新增订单金额环比暴涨169.5%,远超分析师的预期。虽然受DeepSeek引发“AI算力需求重估”导致ASML美股1月27日大跌5.75%,但是随着ASML未来短期及长期指引均未受影响,叠加超预期2024年四季度及全年业绩,直接推动ASML在美股1月29日盘前股价大涨9.09%!不过开盘后股价最高涨幅不到7%,收盘涨幅回落至4.29%。

美国研发新型BAT激光器:EUV能源效率提升10倍!

1月6日消息,美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)宣布开发出了一种名称为大孔径铥 (BAT) 激光器,旨在为极紫外 (EUV) 光刻技术的下一步发展奠定基础。该激光器的效率号称是目前ASML EUV光刻机中使用的二氧化碳(CO2)激光器的 10 倍,并有望在多年后取代光刻系统中的 CO2 激光器。
Rapidus与Synopsys和Cadence签署2nm合作协议

传日本政府将对Rapidus追加1000亿日元出资

11月25日,据日本《共同通信》报导,日本政府已敲定方针,计划在2025年下半年对本土晶圆代工厂Rapidus追加1,000亿日元出资。此外,Rapidus预估将从现有股东、新股东筹措约1,000亿日元资金。也就是说,日本政府的出资额规模将同于民间资金。Rapidus计划利用筹得的资金、追加采购生产先进芯片所必需的EUV光刻机。

俄罗斯自研EUV光刻机计划曝光:采用11.2nm光源,每小时可处理60片12英寸晶圆

12月20日消息,据Cnews报导,俄罗斯已公布自主研发的光刻机路线图,目标是打造比ASML 系统更经济的EUV光刻机。这些光刻机将采用波长为11.2nm的镭射光源,而非ASML 使用的标准13.5nm波长。因此,新技术无法与现有EUV 基础设施相容,需要俄罗斯自行开发配套的曝光生态系统,可能需要数年甚至十年以上时间。
ASML二季度来自中国大陆销售额占比升至24%,浸没式DUV销量环比增长56%-芯智讯

ASML预计2030年营收最高将达600亿欧元!

荷兰菲尔德霍芬,2024年11月14日——在今日举办的2024 年投资者日会议上,ASML将更新其长期战略以及全球市场和技术趋势分析,确认其到2030年的年收入将达到约440 亿至 600 亿欧元,毛利率约为56%至 60%。
3.5亿欧元!ASML展示High NA EUV光刻机

台积电年底前将接收首台High NA EUV光刻机

11月4日消息,据《日经亚洲》报导,全球最大的晶圆代工厂商台积电(TSMC)年底前会收到ASML最先进的High NA EUV(高数值孔径极紫外)光刻机,每台售价超过3.5亿美元,能使半导体制造商制造线宽更小的芯片。