IBM研发出新型绝缘体：可提升7nm、5nm芯片性能
IBM在近日于美国硅谷举行的年度IEEE国际可靠度物理研讨会(International Reliability Physics Symposium，IRPS)上发表了新型绝缘体，该种材料有两种型态──氮碳化硅硼(SiBCN)以及氮碳氧化硅(SiOCN)，号称两者都能让芯片性能与良率有所提升。
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台积电首次自曝3nm工艺，2022年量产！
台积电这几年在新工艺方面极为激进，目前正在大规模量产10nm、加速推进7/5nm，近日还首次曝光了全新的3nm，而这已经接近半导体工艺的物理极限。
台积电营收同比大涨，拟投资157亿美元建5nm和3nm产线
在与三星争夺10nm工艺的同时，台积电也正在积极推动下一代的7nm工艺。昨天，ARM宣布已将Artisan物理IP内核授权给赛灵思（Xilinx）公司，制造工艺正是台积电的7nm，预计于明年初流片，2018年正式上市。而对于未来的5nm和3nm工艺，台积电也开始了布局。
