3nm大战进入倒计时
上周，业内最受关注的新闻，非三星计划在美国德克萨斯州奥斯汀建设一个价值100亿美元的晶圆厂莫属了。这被认为是其追赶台积电发展步伐的又一举措。实际上，三星在美国建新晶圆厂已经不是什么新闻了，该公司在这方面早有想法，特别是去年台积电宣布在美国亚利桑那州投资120亿美元新建5nm晶圆厂以后，三星希望在其美国原有晶圆厂的基础上，更上一层楼，不被台积电甩在远处。
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狠砸280亿美元！台积电的新目标：五年后营收翻倍！首度回应赴日建厂传闻
1月14日，全球晶圆代工龙头台积电召开法人说明会，公布了超预期的2020年第四季业绩，并预计2021年一季度业绩将再创新高。而对于2021年全年的营收，台积电也认为将再创新高，同比将增长约15%。同时，台积电2021年的资本支出也将创下新高，相比去年增加45%。对于此前传闻的赴日本建厂的传闻，台积电也在会上进行了回应。
台积电3nm制程相关材料验证将于2021年一季度完成
随着台积电5nm的大规模量产，台积电的下一代的3nm工艺也正在加速。最新的业内传闻称，即将在2022年量产的台积电3nm制程，其相关的材料认证，预计将在2021年首季完成。
台积电3nm将于2022年量产：性能提升15%或功耗降低30%
8月24日，台积电召开了第26届技术研讨会，披露了旗下最新的5nm以及更先进的3nm、4nm制程工艺。
台积电2nm制程研发取得重大突破：将切入GAA技术
7月13日消息，据台湾媒体报道，台积电冲刺先进制程，在2nm研发有重大突破，已成功找到路径，将切入环绕式栅极技术(gate-all-around，简称GAA)技术。
台积电加速研发2nm工艺：成本10亿美元起步
根据台积电最新公布的2019年年报显示，目前台积电的最新的5nm工艺已经进入量产阶段，3nm工艺也在持续的研发当中，同时，今年还会加快更新一代的2nm工艺的研发速度。
台积电3nm细节曝光：晶体管密度高达2.5亿个/mm²，性能及能效大幅提升
很快台积电的5nm工艺即将量产，与此同时，台积电的3nm工艺也在持续推进当中。去年7月，台积电就公开表示其 3nm 工艺的开发进展顺利，并且已经与早期客户就技术定义进行了接触。近日，台积电正式披露了其最新3nm工艺的细节详情，其晶体管密度达到了惊人的2.5亿个/mm²！
新冠疫情让三星推迟3纳米工艺量产时间至2022年
据国外媒体报道，与许多其他智能手机品牌一样，三星也受到了新冠病毒大流行的影响，新冠病毒已经迫使三星关闭其商店和智能手机工厂，根据一则新的消息称，这次传染病疫情现在已经迫使这家韩国企业集团将3纳米芯片的大规模生产推迟到2022年。
总投资500亿美元！台积电3nm工艺试产延期4个月
台积电的5nm工艺即将量产，总投资高达1.5万亿新台币（约合500亿美元，光是建厂就至少200亿美元了）的台积电3nm工艺，原本计划6月份试产，现在要延期到10月份了。
传英特尔明年将采用台积电6nm EUV工艺，2022年直接上马3nm工艺
据爆料称，英特尔2021年开始采用台积电6nm EUV工艺的产品主要是英特尔自研的GPU及芯片组。因为GPU相对CPU制造来说更简单一些，而且台积电在GPU制造上很有经验。根据此前已曝光的信息显示，英特尔自研的Xe架构独显DG1使用的是自家10nm工艺制造，今年底上市，拥有96组EU执行单元，一共是768个核心，基础频率1GHz，加速频率1.5GHz，1MB二级缓存以及3GB显存，TDP为25W。
三星最先进EUV产线已投产：今年7nm产能将是去年3倍
2月20日消息，三星今天宣布，已在韩国华城工业园新开一条完全基于EUV（极紫外光刻）技术的晶圆代工产线V1，已经投入7nm和6nm EUV移动芯片的生产工作，规划未来可代工到最高3nm制程。
