美国公司公布3D X-DRAM技术：230层堆栈，容量提升8倍！
5月5日消息，全球NAND Flash闪存早已经进入3D时代，这也使得其容量比相比2D时代得到了大幅的提升，但成本却并没有提高多少。相比之下，DRAM内存还停留在2D，需要大容量DRAM就需要支付更多的成本。近日，美国NEO半导体公司宣布推出了全球首款3D DRAM，旨在解决内存容量瓶颈，容量追上SSD不是问题。
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SK海力士发布300层堆叠NAND Flash
3月20日消息，在日前的第 70 届 IEEE 国际固态电路会议 (ISSCC) 期间，韩国存储芯片大厂 SK 海力士（SK Hynix）展示了最新300 层堆叠第 8 代 3D NAND Flash的原型，令与会者大吃一惊。
美光发布业界首款232层3D NAND Flash，预计年底量产！同时推出三年长合约
近日，存储芯片大厂美光（Micron）发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片，并计划将这款 232 层堆栈 3D NAND Flash芯片应用于包括固态硬盘等产品上，预计在 2022 年底左右开始量产。
三星华城工厂两名员工确诊，全球存储市场或将反转向下！
近日，据韩联社报道，三星电子公司周六证实，其两名工作于韩国京畿道华城晶圆厂生产线的员工新冠病毒（COVID-19）检测呈阳性。
疫情冲击下，日韩存储产业遭遇挑战！国产厂商的机会来了？
由于日本与韩国在半导体供应链上有着不可或缺的地位，例如韩国有两大存储厂商三星与SK海力士等；而日本则有铠侠（原东芝存储业务）和西部数据的存储厂，同时日本还是半导体原物料以及部分机台的生产重镇，如TEL、ShinEtsu与SUMCO等都在日本。
长江存储发布3D NAND新架构Xtacking；SK海力士推出全球首款4D NAND
近日，在美国举办的Flash Memory Summit（闪存技术峰会）的首日Keynote上，长江存储（Yangtze Memory Technology，YMTC）压轴出场，推出了其最新的3D NAND架构Xtacking，I/O接口的速度提升到了3Gbps，吸引了外界的极大关注。不过在长江存储演讲之前，海力士则公布了更为令人惊叹的4D闪存技术。
长江存储芯片生产机台进场安装，中国首批32层3D NAND闪存芯片年内量产
4月11日上午9：30，由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。
打破国外垄断，首款国产3D NAND Flash今年内实现量产！
今天，在CITE2018展会上开幕式上，赵伟国正式宣布，紫光集团旗下的长江存储32层64G 3D NAND Flash存储器将会在2018年达成小规模量产的目标，2019年64层128G 3DNAND Flash储器则将会进入规模研发的阶段。
