总投资120亿元，厦门士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线（一期）建成封顶
2月28日，厦门士兰集宏半导体有限公司的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目（一期）工程顺利封顶。
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董明珠再谈格力芯片工厂：没用国家一分钱，我们自己有能力！
2月24日消息，近日，@央视频 官微发布《格力请回答》纪录片第1集-勇敢的“芯”，格力电器董事长董明珠再次回应外界对格力造芯片质疑，并谈到了格力建设的芯片工厂。
英飞凌宣布已向客户交付首批8英寸碳化硅产品
近日，英飞凌通过官网宣布，其在 200 毫米（8英寸）碳化硅 (SiC) 路线图上取得了重大进展，已于 2025 年第一季度向客户发布首批基于先进 200 毫米 SiC 技术的产品。这些产品在奥地利菲拉赫生产，为可再生能源、火车和电动汽车等高压应用提供一流的 SiC 功率技术。此外，英飞凌位于马来西亚居林的制造基地也将从 150 毫米（6英寸）晶圆向更大、更高效的 200 毫米直径晶圆的过渡正在全面推进。新建的 Module 3 即将根据市场需求开始大批量生产。
瞻芯电子完成C轮首批近十亿元融资
1月21日消息，近日，上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）完成了C轮融资首批近十亿元资金交割，该轮融资由国开制造业转型升级基金领投，中金资本、老股东金石投资、芯鑫跟投。瞻芯电子本轮首批融资款将主要用于产品和工艺研发、碳化硅(SiC)晶圆厂扩产及公司运营等开支，以持续提升产品的市场竞争力，增强晶圆厂的保供能力，满足快速增长的市场需求。至此，瞻芯电子已累计完成了二十余亿元股权融资，持续获得资本市场青睐。
投资16亿美元，印度将建首座碳化硅晶圆厂
1月14日消息，总部位于印度阿马拉瓦蒂的功率半导体初创公司Indichip Semiconductors Ltd. 及其日本合资伙伴Yitoa Micro Technology (YMTL) 与印度安得拉邦政府签署了一项协议，将投资 1400 亿卢比（约合 16 亿美元）在当地建造一座面向功率半导体的碳化硅晶圆厂。
美对华成熟制程芯片发起“301调查”！中方回应
当地时间12月23日，美国拜登政府通过白宫官网宣布，已要求美国贸易代表办公室发起301条款调查，以审查中国将基础半导体（也称为传统或成熟制程芯片）作为主导地位的目标以及对美国经济的影响。
2023年中国厂商占据了全球SiC专利申请量的70%！
近日，法国市场研究机构KnowMade最新发布的一份针对碳化硅（SiC）的知识产权 （IP） 报告，全面介绍了全球最近的碳化硅专利申请活动。在该报告中，KnowMade重点介绍了整个碳化硅供应链中最新的专利动态，并重点介绍了SiC行业内一些采用垂直整合模式（IDM）的主要公司的专利动态。
格力“造芯”6年：累计出货近2亿颗，SiC芯片工厂建成投产！没拿国家一分钱！
12月16日，格力电器董事长董明珠在《珍知酌见》栏目里与新浪财经CEO邓庆旭对话时宣布：“格力芯片成功了，从自主研发、自主设计、自主制造到整个全产业链已经完成了。”“我觉得最高兴的就是我做这个芯片工厂，没有拿国家一分钱。”
美国商务部将向博世提供2.25亿美元补贴，以支持其加州碳化硅工厂扩建
当地时间12月13日，美国拜登政府宣布，美国商务部已经与博世签署了一份不具约束力的初步条款备忘录 (PMT)，将根据《芯片与科学法案》向博世提供高达 2.25 亿美元的拟议直接补贴资金。这笔资金将支持博世投资 19 亿美元改造其位于加州罗斯维尔的制造工厂，用于生产碳化硅 (SiC) 功率半导体。并将在加州创造多达 1,000 个建筑工作岗位和多达 700 个制造、工程和研发工作岗位。
安森美1.15亿美元收购Qorvo碳化硅JFET技术
2024年12月10日，功率半导体大厂安森美（onsemi）宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。该收购将补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组合，使其能应对人工智能（AI）数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求，还将加速安森美在电动汽车断路器和固态断路器(SSCB) 等新兴市场的部署。
