韩国首座8英寸SiC晶圆厂开建
6月5日，韩国贸易、工业和能源部宣布，韩国本土半导体制造商EYEQ Lab 已开始在釜山功率半导体元件和材料特区内建设韩国首座8英寸碳化硅（SiC）功率半导体工厂，该项目已于5日上午举行了奠基仪式。
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投资50亿欧元，意法半导体宣布在意大利建8英寸SiC晶圆厂
6月2日消息，近日，全球领先的半导体供应商意法半导体（ST）宣布，将在意大利卡塔尼亚新建一座200mm（8英寸）碳化硅（SiC）制造工厂，主要用于SiC功率器件和模块的制造以及测试和封装。结合在同一地点准备就绪的 SiC衬底制造工厂，这些工厂将组成意法半导体的SiC园区，实现该公司建立完全垂直整合的制造工厂的愿景。该SiC园区的建立是一个重要里程碑，将为汽车、工业和云基础设施应用领域的客户在向电气化转型和追求更高效率的过程中提供 SiC 设备支持。
中国大陆碳化硅产能过剩，殃及外资厂商！Wolfspeed股价累计大跌82%！
5月13日消息，据《财讯》双周刊报导，两年前，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代 半导体是市场上最热门的题材。但随着中国大陆碳化硅产能持续扩大，碳化硅价格也在持续下滑，这也导致了美国碳化硅龙头Wolfspeed承受较大竞争压力，股价已累计下跌了82%。
英飞凌为小米SU7智能电动汽车供应多款产品
5月6日消息，英飞凌科技宣布将为小米汽车最新发布的SU7智能电动汽车供应碳化硅（SiC）HybridPACK Drive G2 CoolSiC功率模块及芯片产品直至2027年。英飞凌的CoolSiC功率模块可适应更高的工作温度，从而实现一流的性能、驾驶动力和寿命。
SiC需求大增，2026年前端制造设备市场将达50亿美元
5月6日消息，据市场研究机构 Yole Developpement 发布的最新报告显示，到2029年，SiC器件市场预计将超过100亿美元，CAGR 2023-2029年为25%。由于大规模产能扩张，预计到 2026 年，整个 WFE（晶圆厂设备）SiC制造设备市场将达到50亿美元的峰值。
碳化硅大厂Wolfspeed业绩不及预期，股价一度暴跌16%
5月4日消息，受欧美电动汽车（EV）市场增长放缓影响，碳化硅（SiC）大厂Wolfspeed上季财报表现不佳，亏损高于市场预期，对于本季财测也低于市场预期，股价大跌近10%。
世纪金芯宣布突破8英寸SiC关键技术
4月9日，合肥世纪金芯半导体有限公司宣布，基于设备、工艺、热场、原料、结构设计等多方面的长期技术积累，突破了8英寸SiC关键技术，在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。
芯联集成与蔚来汽车签署碳化硅生产供货协议
1月30日，芯联集成-U(688469)与蔚来汽车签署了碳化硅模块产品的生产供货协议，为蔚来生产供应首款自研1200V碳化硅模块，以及成为蔚来汽车全栈自研体系900V高压纯电平台的重要合作伙伴。
从参与者到挑战者，中国半导体产业能否突出重围？
在2023年12月，市场研究机构Yole Group组织了一场网络研讨会，对中国半导体产业的现状及未来的发展进行了深入的探讨。
DISCO推出新型SiC晶圆研磨设备，速度提升10倍！
近日，日本半导体设备大厂Disco公司成功开发出了一款新型SiC晶圆研磨设备DFG8541，可以加工最大尺寸为8英寸的硅和SiC晶圆，并将SiC晶圆的研磨速度提升至原来的10倍，极大地提高了生产效率。由于SiC晶圆的硬度极高，加工难度较大，这一技术突破对于推动SiC功率半导体的规模化生产具有重要意义。
安森美发布直流超快充电桩方案，解决电动汽车普及的关键难题
2024年1月8日，领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi)，宣布推出九款全新 EliteSiC 功率集成模块 (PIM)，可为电动汽车 (EV) 直流超快速充电桩和储能系统 (ESS) 提供双向充电功能。
中国研究团队成功制备全球首个石墨烯半导体！
1月4日消息，近日，天津大学旗下的天津纳米颗粒与纳米系统国际研究中心的研究团队，携手美国佐治亚理工学院的研究人员，克服了几十年来困扰石墨烯研究的最大障碍，成功创造出了世界上第一个由石墨烯制成的功能半导体，在硅基半导体微缩已经接近极限的当下，为半导体产业的发展打开了新的大门。
