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新思科技针对台积电N6RF制程推RF设计流程,强化5G SoC开发效率

为因应日益复杂的RFIC 设计要求,新思科技(Synopsys) 近日宣布针对台积电N6RF 制程推出最新的RF 设计流程,此乃新思科技与安矽斯科技(Ansys) 和是德科技(Keysight) 共同开发的最先进RF CMOS 技术,可大幅提升效能与功耗效率。该流程可协助其共同客户实现5G 晶片的功耗与效能优化,同时加速设计效率,从而加快产品的上市时程。

新思科技SiliconSmart 元件库特性解决方案获台积电N5、N4 和N3制程技术认证

EDA及半导体IP大厂新思科技近日宣布,SiliconSmart 元件库特性(library characterization) 解决方案获台积电N5、N4 和N3 制程技术认证。该解决方案为新思科技融合设计平台一环,具备支持先进制程节点的单位元件库特性的强化功能,能加速移动/5G、高性能运算、人工智能(AI)、汽车、物联网(IoT)及航天太空和国防应用。

“SysMoore”与“EDA国产化”趋势之下,新思科技的应对之道

12月22日,中国集成电路设计业2021年会暨无锡集成电路产业创新发展高峰论坛(ICCAD 2021)举行。新思科技(Synopsys)总裁兼首席运营官Sassine Ghazi和新思科技全球资深副总裁、中国董事长兼总裁葛群通过视频的形式发表了主题为《SysMoore探索数字寰宇》的联合演讲。在会后,新思科技中国区副总经理许伟接受了芯智讯等业内媒体的专访,介绍了如何应对SysMoore趋势下的新挑战以及“+新思”战略的布局与成效。

2021新思科技开发者大会:揽数字芯光,话未来芯愿

9月28日,中国年度芯片技术创新峰会“2021新思科技开发者大会”在上海中心大厦成功举行。在数字经济成为经济增长新动能的当下,新思科技携手芯片开发者及行业领袖,围绕5G、物联网、人工智能、智能汽车、高性能计算等数字经济核心应用领域,共同分享前沿的芯片研发技术趋势与实践,并解密新思科技最新技术和产品,共揽数字“芯”光。

新思科技举办“联合创新数字未来”研讨会,聚力创芯,共抵数字未来

8月26日,新思科技位于上海市杨浦区的新办公楼正式启用,中共上海市杨浦区委书记谢坚钢,中国科学院院士、上海交通大学副校长毛军发,中国科学院院士、复旦大学光电研究院院长褚君浩,杨浦区副区长赵亮,以及新思科技在中国的广大合作伙伴们参观了新思科技上海办公楼,共同见证了这一重要发展里程碑,并出席了“联合创新数字未来”研讨会。

新思科技及应用材料助力,台积电3nm明年下半年量产

6月18日消息,台积电目前正在积极推进3nm制程工艺的开发,预计将在2022年下半年量产。昨日,台积电重要合作伙伴——应用材料、新思科技同步发布了针对最新的3nm制程技术创新性的进展,为台积电3nm的顺利量产提供助力。