7月14日消息，据外媒ComputerBase 报导，晶圆代工龙头大厂台积电正计划在美国亚利桑那州晶圆厂（Fab 21） 附近建造两座先进封装厂，并在当地提CoPoS 和SoIC 先进封装服务。

今年3月，台积电在此前对美国投资650亿美元建设三座先进制程晶圆厂的计划基础之上，又宣布对美国追加1000亿美元投资，再建设三座新晶圆厂、两座先进封装厂，以及一个研发中心。需要指出的是，虽然目前台积电亚利桑那州的4nm制程的晶圆一厂已经量产，3nm的晶圆二厂也已经动工，但是由于台积电在美国没有匹配的先进封装厂，所以这些在美国生产的先进制程芯片还需要运往中国台湾进行封装。因此，台积电在美国本土建立新的先进封装厂也将变得越来越迫切。

据报导，台积电计划在Fab 21 附近建造两座专用建筑，在当地提供先进封装服务。首个先进封装设施AP1 计划2028年开始兴建，与Fab 21 的第三阶段间建计划同步，可以为N2 及更先进的A16 制程技术服务。第二座先进封装设施AP2将与Fab 21 的第四/五阶段同步，但是还没有具体的动工日期。

在技术方面，两座先进封装设施将专注于CoPoS 和SoIC 封装技术。其中，CoPoS 先进封装将使用310×310mm 的矩形面板取代传统的圆型晶圆，也就是将CoWoS “面板化”，将芯片排列在方形的“面板RDL 层”，取代原先圆形的“硅中介层”（silicon interposer），通过“化圆为方”提升面积利用率与产能。

而SoIC 先进封装技术则是在计算核心下方堆叠缓存或内存芯片，这一技术已经在AMD Ryzen X3D 处理器中得到了验证。台积电计划在2026年启动CoPoS 测试生产工作，目标2027年末完成与合作伙伴之间的验证工作，以保证赢得包括英伟达、AMD 和苹果在内主要客户的订单。

该报导还指出，由于AP1 预计要到2029年末或2030年初才能开始投入运营，这将与台积电的交货时间惯例保持一致。

编辑：芯智讯-浪客剑