当地时间5月21日，美国功率器件大厂纳微半导体（Navitas Semiconductor）宣布，与英伟达就其下一代 800V 高压直流供电（HVDC）架构展开合作，以支持为其 GPU（例如 Rubin Ultra）供电的“Kyber”机架级系统，该系统将由Navitas的GaNFast™ 和 GeneSiC™ 功率技术支持。

目前现有的数据中心架构采用传统的 54 V 机架内配电，功率限制在几百千瓦 (kW)。需要使用笨重的铜母线将低压电力从机架式电源架传输到计算托盘。当功率超过 200 kW 时，由于功率密度、铜缆需求和系统效率降低，这种架构会面临物理限制。而现代人工智能数据中心需要数吉瓦 (GW) 的电力来满足日益增长的人工智能计算需求。

英伟达推动的下一代 800V HVDC 架构旨在为下一代 AI 工作负载建立高效、可扩展的电力输送，以确保更高的可靠性、效率并降低基础设施的复杂性。

英伟达的方法是使用固态变压器 (SST) 和工业级整流器，在数据中心边界将 13.8 kV 交流电网电源直接转换为 800V 高压直流电，从而省去多个 AC/DC 和 DC/DC 转换步骤，最大限度地提高效率和可靠性。由于800V HVDC电压等级更高，由于I²R损耗更低，铜线厚度也可以大幅减少。

英伟达的预测表明，向800V HVDC转变可以将数据中心的电力效率提高 5%，铜线使用量减少 45%，维护成本降低高达 70%。对于管理数千个机架的超大规模运营商来说，这些改进意味着数百万美元的运营成本节省。

Navitas 是采用 GaN 和 SiC 技术的 AI 数据中心解决方案领域的领先企业。高功率 GaNSafe™ 功率 IC集成了控制、驱动、传感和关键保护功能，实现了前所未有的可靠性和稳健性。GaNSafe 是全球最安全的 GaN 产品，具有短路保护功能（最大延迟 350ns）、所有引脚均提供 2kV ESD 保护、无需负栅极驱动以及可编程压摆率控制。所有这些功能均通过 4 引脚控制，因此该封装可像分立式 GaN FET 一样使用，无需 VCC引脚 。

此外，Navitas 还提供一系列中压（80-120V）GaN 器件，这些器件针对次级侧 DC-DC 转换进行了优化，可为输出为 48V-54V 的 AI 数据中心 PSU 提供高速、高效率和小尺寸。

GeneSiC 凭借 20 年的 SiC 创新领导力，专有的“沟槽辅助平面”技术提供世界领先的温度性能，为高功率、高可靠性应用提供高速、低温运行。G3F SiC MOSFET 兼具高效率和高速性能，外壳温度可 降低高达 25°C ，使用寿命比其他供应商的 SiC 产品延长高达 3 倍。

SiC 技术提供业界最广泛的电压范围 - 从 650 V 到 2.3 kV 至 6.5 kV 的超高电压，并已在美国能源部 (DoE) 的多个兆瓦级储能和并网逆变器项目中得到实施。

作为英伟达800V HVDC供应商联盟的一员，Navitas 的 GaNFast 和 GeneSiC 技术实现了 800V HVDC系统所需的高频开关和热效率——这是传统硅功率器件无法比拟的。

美国能源情报署（EIA）1月发布「短期能源展望报告」预测，美国整体用电量将在2025年及2026年刷新历史新高。投资银行高盛（Goldman Sachs）此前预计，2023年至2030年，美国数据中心用电需求将激增两倍，此期间全美新增发电量须达47吉瓦，才能充分应付所有用电需求。

受获英伟达大单的消息影响，Navitas 股价于美股22日暴涨164%，收于5.05美元/股，市值达到9.69亿美元。这也是该公司史上最大单日涨幅，但股价仍比2021年11月15日触及的历史高点20.16美元下跌74.93%。

编辑：芯智讯-浪客剑