传三星半导体高管亲访英伟达，展示改良版HBM样品

2月18日消息，据韩国媒体Thelec报道，三星电子副董事长、半导体暨装置解决方案（DS）部门负责人全永铉（Young Hyun Jun）上周亲自拜访了英伟达（NVIDIA）总部，展示了其基于最新的1b DRAM的HBM样品。

三星曾于2023年5月宣布第五代10nm级（1b）制程16Gb DDR5內存开始量产，随后后又于2023年9月宣布第五代10nm级（1b）制程的32Gb DDR5內存开发成功。但是在2024年6月，业内传出消息称，三星1b DRAM良率未达业界80%~90%的一般目标，随后在2024年底，又被爆出依然存在良率与过热问题。这也使得三星基于1b DRAM制造的HBM3E迟迟未能获得英伟达的采用。

因此，英伟达要求三星改良1b DRAM设计来制造HBM3E。对此，传闻三星打算改变方向，使用1a DRAM（即1b DRAM前身）制造8层和12层HBM3E，后续的HBM4则完全跳过1b DRAM制程，使用1c DRAM来制造。

今年1月，三星曾透露，其改良版HBM3E的准备工作进展顺利，将于第二季开始供货。

显然，最新的1b DRAM应该是改良后获得了成功，不过DS部门负责人亲自向客户展示样品，却是相当罕见。猜测全永铉这趟行程很可能是为了确保三星能赢得英伟达的HBM3E订单。

目前竞争对手SK海力士已经向英伟达供应使用1b DRAM制造的12层HBM3E，美光已向英伟达供应HBM3E。

英伟达CEO黄仁勋曾在今年CES展上透露，三星需要重新设计其HBM才能通过认证。

编辑：芯智讯-林子