摘要:近年来,随着国家的大力支持以及国产存储企业的努力,目前国产NAND FLASH以及DRAM均实现了0的突破。去年,紫光国芯(已更名为紫光国微)就已经实现了DDR4内存内存模组的量产供货,紫光集团旗下的的长江存储的32层NAND FLASH就已成功实现量产,而现在紫光的SSD也已批量出货。

随着数据的爆炸式增长,使得市场对于存储芯片的需求也呈高速增长的态势。然而,中国市场的存储此前几乎100%依赖于进口。不过,近年来,随着国家的大力支持以及国产存储企业的努力,目前国产NAND FLASH以及DRAM均实现了0的突破。去年,紫光国芯(已更名为紫光国微)就已经实现了DDR4内存内存模组的量产供货,紫光集团旗下的的长江存储的32层NAND FLASH就已成功实现量产,而现在紫光的SSD也已批量出货。

纯国产紫光SSD批量出货

据中关村在线报道,2019年,纯国产紫光SSD开始出货,SATA和NVMe两种类型各有一款产品 ,目前为止中关村在线已经拿到这两款产品,后续将会进行测试。

纯国产!紫光SSD开始批量出货!-芯智讯

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(图片来源:中关村在线)

此次出货的SATA以及NVMe两款SSD在容量方面均支持从128GB到1TB版本四种选择,在主控方面采用了国产主控,闪存颗粒方面是紫光的64层3D NAND TLC颗粒(中关村原文是64层,不过目前紫光的64层3D NAND应该没有量产,所以应该是32层),也是目前市场主流的水准,紫光量产即达到这样的水平,起点不低。

从目前的曝光的产品信息来看,此次采用的晶圆很大概率上为紫光原厂切割封装,在设计制造等方面均实现国产,具体信息还有待紫光方面的具体确认。

至于紫光的SSD性能,去年网上曾曝光过还处于样品阶段的紫光SSD的CrystalDiskMark测试数据。从数据来看,当时紫光SSD在Seq Q32T1/Seq场景下最大的读写速度均达到500MB/s以上,在4K随机读写速度上分别在39MB/s和160MB/左右。

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▲紫光SSD测试数据

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三星850 EVO 1TB SSD测试数据

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▲三星970EVO plus测试数据

紫光SSD的这个成绩要略优于三星2016年推出的基于48层TLC颗粒的新版850 EVO 1TB SSD。当然,与三星今年新推出的96层TLC颗粒的入门级NVMe SSD产品——三星970EVO plus的性能相比仍有很大差距。

国产存储产业面临的挑战

当前,随着数据的爆炸式增长,使得市场对于存储芯片的需求也呈高速增长的态势。目前在存储器市场上,韩国的三星与SK海力士两家公司都占据了相当大的市场占有率。其中,仅三星一家就能达到全球DRAM市场的46%、NAND Flash市场的39%。而SK海力士则是拥有全球DRAM市场的29%比率、NAND Flash市场的15%市占率。

而作为全球最大消费类电子市场之一,不论DRAM还是NAND Flash等存储器,中国市场此前基本上100%都依赖于进口。这也使得中国发展国产存储产业的需求也最为迫切。

在国家及各地政府的支持下,近几年国产存储产业发展迅猛,目前紫光集团旗下的长江存储的32层3D Nand Flash的成功量产,合肥长鑫的DRAM很快也有望进入量产。显然,随着国产DRAM及Nand Flash的量产上市,必将对三星、海力士、美光等存储大厂造成冲击。

据韩国产业技术振兴院预测,在2022年时会因为中国竞争的影响,韩国企业将减少78亿美元的存储器的销售金额。在DRAM市场上,2022年韩国企业预计销售金额为695亿美元,如果中国公司加入竞争,则出口金额将降低到628亿美元,减少67亿美元。在NAND Flash市场上,2022年韩国企业预计销售金额为376亿美元。而在中国企业加入竞争后,则可能降至365亿美元,减少11亿美元。

从上面的分析数据来看,相对于韩国企业在存储领域的1071亿美元的营收来看,四年后,国产存储企业从韩国企业手中所能抢下的市场也仅有78亿美元。足见国产存储产业与韩国存储产业差距之大。

另外,在NAND存储技术层面,三星、SK海力士、美光的96层堆栈的3D NAND基本都已量产,并且早已进入128层堆栈的3D NAND的研发,而国内长江存储去年年底量产的是32层3D NAND,今年才会量产64层3D NAND,技术上仍有两代左右差距。

在DRAM内存技术方面,三星、美光也是大幅领先国内厂商。比如今年1月,三星就推出了一款超高性能高端DRAM,以18Gbps(1Gbps意味着每秒10亿比特的转移速度)批量生产16GB(GD)GDDR6 DRAM,这是世界上最高速度的DRAM。而国内已有的产品只有紫光国微的DRR4内存,单条容量4GB左右。另外在制造工艺上,三星已经将10nm的技术应用于DRAM之中,国内还处在28nm的阶段,仅工艺上就起码落后了2年多的时间。

另外,面对国产存储厂商的快速发展,三星、SK海力士、美光等厂商也是严正以待,期望通过扩大产能、降低价格以及技术专利封锁等多角度来进行围堵。

三星2017年不仅完成了全球最大的NAND Flash工厂,还投资140亿美元,预计将位于韩国平泽市的2期NAND Flash工厂,改成DRAM工厂,建成后预计也是全球最大的DRAM工厂之一。此外,三星去年还宣布将在2019年进一步扩大NAND闪存投资,由2018年的64亿美元增至2019年的90亿美元。业界普遍认为三星的巨额投资计划是在捍卫其在市场中的主导地位。

SK海力士方面则不仅参加了2017年对东芝NAND Flash业务的竞标,还在中国无锡工厂继续投资36亿美元,建设新的DRAM工厂。SK海力士还计划在2022年之后的十年之内斥资120万亿韩元(约为1000亿美元),于韩国龙仁市建造四座半导体工厂。

美光在2017年之时,也层宣布将在未来两三年内投资20亿美元升级日本广岛的DRAM工厂。去年,美光还宣布将在未来12年内投资30亿美元扩建美国弗吉尼亚工厂。此外,在2017年,美光就以专利侵权为由起诉了国产DRAM厂商福建晋华,随后事件进一步升级,最终迫使晋华停摆。

显然,国产存储产业快速发展的同时,国外存储巨头也在加速,国产存储产业要想真正崛起,仍有相当长的一段路要走。当然,我们也并不能因为目前存在的巨大差距就妄自菲薄,毕竟我们已经成功实现了从0到1的突破,这也是最为关键和困难的一步。未来,凭借国产存储厂商的努力以及中国的庞大的市场优势,中国存储产业终将崛起。

编辑:芯智讯-林子