世纪金芯宣布突破8英寸SiC关键技术
4月9日，合肥世纪金芯半导体有限公司宣布，基于设备、工艺、热场、原料、结构设计等多方面的长期技术积累，突破了8英寸SiC关键技术，在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。
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DISCO推出新型SiC晶圆研磨设备，速度提升10倍！
近日，日本半导体设备大厂Disco公司成功开发出了一款新型SiC晶圆研磨设备DFG8541，可以加工最大尺寸为8英寸的硅和SiC晶圆，并将SiC晶圆的研磨速度提升至原来的10倍，极大地提高了生产效率。由于SiC晶圆的硬度极高，加工难度较大，这一技术突破对于推动SiC功率半导体的规模化生产具有重要意义。
安森美发布直流超快充电桩方案，解决电动汽车普及的关键难题
2024年1月8日，领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi)，宣布推出九款全新 EliteSiC 功率集成模块 (PIM)，可为电动汽车 (EV) 直流超快速充电桩和储能系统 (ESS) 提供双向充电功能。
Denso和三菱电机10亿美元入股Coherent碳化硅子公司，获得25%股权
10月11日消息，日本汽车零组件大厂Denso和三菱电机（Mitsubishi Electric）宣布，将分别投资5亿美元，入股美国半导体材料、网络及激光供应商Coherent的碳化硅（SiC）业务子公司Silicon Carbide，分别取得 12.5%股权（两家日企合计取得25%股权）。
士兰微携手大基金二期向士兰明镓增资12亿元
时隔18个月后，士兰微(600460)厦门基地（士兰明镓）再获国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司（下称“大基金二期”）增资。
SiC器件需求爆发式增长，为缺陷检测带来极大挑战！
汽车的电动化推动了对碳化硅（SiC）功率器件的需求爆发式增长，但也给寻找和识别这些芯片中的缺陷带来了挑战。
罗姆2022财年净利大涨20.3%！今年营收有望创历史新高，将增产SiC功率半导体
受电动汽车市场对于功率半导体需求的日益增长，功率器件大厂罗姆（Rohm）近年来业绩持续增长。
三星电子正在开发8英寸SiC功率半导体，已投资1000～2000亿韩元
3月30日消息，据韩国媒体THELEC报导，三星电子正在推进设备投资，以开发8英寸SiC/GaN工艺，目前已经投资了1000 亿至 2000 亿韩元（约合人民币5.3亿至10.6亿元）。
碳化硅器件发展方向与面临的三大难题
Yole Intelligence在Power SiC 2022报告中提供的数据显示：SiC设备市场预计将持续增长，2021年至2027年的复合年增长率将超过30%，2027年将超过60亿美元，预计汽车将占该市场的80%左右。
投资1000亿日元！三菱电机宣布在日本新建8吋SiC晶圆厂
3月15日消息，日本三菱电机（Mitsubishi Electric）于14日宣布，因来自电动汽车（EV）的需求旺盛，将投资约1000亿日元在熊本县菊池市的现有工厂厂区内兴建新厂房，该新厂将导入8吋SiC晶圆产线，预计2026年4月启用生产，三菱电机还将扩增位于熊本县合志市的工厂的6吋晶圆产能。
投资7.3亿欧元，意法半导体将在意大利新建一座碳化硅晶圆厂
10月6日消息，据路透社报道，意法半导体 (ST) 将在意大利建造一座价值 7.3 亿欧元（7.28 亿美元）的碳化硅（SiC）晶圆厂，这是第一个获批的此类项目，作为欧盟推动更多芯片生产离本土更近的一部分。
昭和电工8英寸SiC外延晶圆开始样品出货
9月8日消息，日本半导体材料大厂昭和电工（Showa Denko KK）昨日宣布，其碳化硅（SiC）功率半导体的8英寸（200mm）SiC 外延晶圆（Epitaxial Wafer）已开始进行样品出货，成为日本首家送样8英寸SiC外延晶圆的厂商。
