ASML和imec签署战略合作协议，支持欧洲半导体研究和可持续创新
当地时间3月11日，荷兰光刻机大厂ASML 和 纳米电子和比利时微电子研究中心imec 共同宣布，他们签署了一项新的战略合作协议，专注于研究和可持续发展。该协议为期五年，旨在通过整合 ASML 和 imec 各自的知识和专长，在两个领域提供有价值的解决方案。首先，开发推动半导体行业发展的解决方案，其次，制定专注于可持续创新的计划。
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英特尔和imec报告High NA EUV进展
比利时微电子研究中（Imec）演示了使用单次曝光High NA EUV 光刻技术对 20nm 间距金属化线结构进行电气测试。测试结果显示“电气良率”超过 90%，表明随机缺陷数量较少。
imec首次在12吋硅片上实现电泵浦GaAs基纳米脊激光器的全晶圆级制造
当地时间1月9日，比利时微电子研究中心（Imec）宣布了硅光子学领域的一个重要里程碑，在其CMOS试点原型生产线上成功演示了基于GaAs的电驱动多量子阱纳米脊激光二极管，该二极管在300毫米硅片上完全单片制造。
imec为0.7nm技术节点推出双排CFET架构
12月7日，比利时微电子研究中心（imec）通过官网宣布，在近日的2024年IEEE 国际电子器件会议 （IEDM）上，其展示了一种基于 CFET 的新标准单元架构，其中包含两排 CFET，中间有一个共享的信号路由墙。
蔡力行：联发科将进军AI数据中心市场！
9月3日，在SEMICON Taiwan 2024展会活动中，全球半导体知名研究机构比利时微电子研究中心（imec）举行了“ITF Taiwan 2024技术论坛”，联发科CEO蔡力行在该论坛上透露，AI数据中心相关需求来得比预期多又快，这对于半导体业来说是一大机遇，联发科将进军AI服务器市场。同时他还透露，天玑9400将会在10月正式发布。
imec展示基于High NA EUV曝光的逻辑与DRAM结构
近日，比利时微电子研究中心（imec）在荷兰 Eindhoven 与ASML合作建立的高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）光刻实验室中，利用径 0.55NA EUV光刻机 (TWINSCAN EXE:5000) ，发布了曝光后的图形化元件结构。
imec在12英寸CMOS平台上制造的Si MOS量子点实现了创纪录的低电荷噪声
近日，比利时微电子研究中心（imec）宣布成功演示了高质量 300 毫米硅基量子点自旋量子比特处理，该设备在 1Hz 时产生具有统计意义的平均电荷噪声 0.6µeV/√ Hz。就噪声性能而言，所获得的值是在 300 毫米晶圆厂兼容平台上实现的最低电荷噪声值。如此低的噪声值可实现高保真量子比特控制，因为降低噪声对于保持量子相干性和高保真控制至关重要。通过在 300 毫米 Si MOS 量子点工艺上反复且可重复地演示这些值，这项工作使基于硅基量子点的大规模量子计算机成为现实。
将EUV扩展到1.4nm的关键技术
前三大晶圆代工厂计划最早于2025年在18埃米这一制程节点实验高数值孔径（High NA）EUV光刻技术，但依然会采用标准EUV（NA = 0.33）来进行量产，这主要是考虑它是否能以合理的每片晶圆成本提供更好的结果。
imec首次展示功能性单片CFET器件
当地时间6月18日，imec（比利时微电子研究中心）通过官网宣布，在本周举行的 2024 年 IEEE VLSI 技术与电路研讨会 (2024 VLSI) 上， imec 首次展示了具有堆叠底部和顶部源/漏极触点的功能性单片CMOS CFET 器件。虽然结果是从正面图案化两个触点获得的，但 imec 还展示了将底部触点形成移至晶圆背面的可行性——将顶部器件的存活率从 11% 显著提高到 79%。
ASML携手Imec建联合实验室，供客户测试最新High NA EUV光刻机
6月3日，全球光刻机龙头大厂ASML宣布，已与比利时微电子研究中心（Imec）合作，在荷兰Veldhoven建立了专为High NA EUV光刻机的测试实验室。
imec获25亿欧元支持，将建NanoIC中试线，聚焦2nm以下制程SoC开发
5月22日消息，比利时imec微电子研究中心宣布，已经获得共计25亿欧元公共和企业捐款支持，将主导建设2nm以下的NanoIC中试线（NanoIC pilot line）。
imec推出首款开放式2nm工艺设计套件
在日前的2024年IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，比利时微电子研究中心（imec）推出开放式工艺设计套件（PDK），由EUROPRACTICE平台提供的共训练程序，通过imec开发的2nm虚拟数字设计，其中就包含了晶圆背面供电网络。
