IGBT发明者获得100万欧元奖金
9月5日消息，美国北卡罗来纳州立大学的 Bantval Jayant Baliga 教授因发明绝缘栅双极型晶体管 （IGBT） 而获得 2024 年千禧年技术奖。该奖项奖金为 100 万欧元，由芬兰技术学院监督，于 2004 年首次颁发。
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东芝新12英寸功率半导体厂完工，MOSFET和IGBT产能提升2.5倍
日本东芝电子元件及存储装置株式会社（TOSHIBA）于5月23日正式宣布，旗下的12英寸功率半导体制造工厂和写字楼完工。
芯能半导体合肥厂房交接，专注于IGBT/SiC功率模块封装制造
据芯能半导体官方消息，4月11日，芯能半导体合肥高端功率模块封装制造基地厂房交接仪式在合肥安巢经开区举行。据悉，本次交接项目为一栋三层半结构，约13000m²。
安森美韩国富川工厂停电，计划停产两周！
11月9日，据The Elec报道，安森美的韩国富川工厂5日因停电而暂时停工，并因行业环境原因，考虑在12月中旬关闭该工厂两周。
士兰微：预计IGBT最晚明年三季度满产
11月2日举办的士兰微(600460)2023年第三季度业绩说明会，可谓是干货满满亮点频出。公司董事长陈向东，副董事长、总经理郑少波，独立董事、南京审计大学会计学院教授程博，财务总监、董事会秘书陈越，与投资者热烈交流。
上海积塔半导体已完成135亿元融资
据铭盛资本8月31日微信公众号消息，上海积塔半导体有限公司（以下简称“积塔半导体”）已完成135亿元人民币融资，本轮融资汇聚多家国家基金、产业投资人、地方基金、知名财务投资人等。
日本电装与联电日本子公司合作实现12吋IGBT晶圆量产出货
5月10日消息，日本车用电子供应商电装株式会社 DENSO 和晶圆代工大厂联电的日本子公司 USJC今日在USJC 位于日本三重县的晶圆厂举行合作典礼。双方共同宣布，两家公司合作生产的绝缘栅双极型晶体管(IGBT, insulated gate bipolar transistor) 已在 USJC 的 12 吋晶圆厂进入量产。这是继两家公司 2022 年就本项电动车用关键功率半导体建立策略合作伙伴关系后，针对首次出货所举办的仪式，以纪念此重要里程碑。
传日本汽车芯片设计厂商削减IGBT晶圆代工订单
4月26日消息，据中国台湾媒体Digitimes援引消息人士报道称，近期有传言显示，一家日本芯片设计公司正在削减IGBT芯片订单，而IGBT此前一直是被市场认为仍然存在供不应求。
车用半导体需求下滑，车厂纷纷砍单并要求降价
3月28日消息，在全球半导体市场“遇冷”的当下，原本仍存在结构性紧缺的车用半导体市场也开始出现了“客户砍单要求降价”的情况。
电动汽车及太阳能电厂需求旺盛，IGBT供不应求
3月20日消息，据中国台湾媒体报道，在半导体市场需求下滑之际，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）依然是大缺货，并且价格还在上涨。
浙江晶能宣布自研车规级IGBT产品流片成功
3月16日消息，浙江晶能微电子有限公司（以下简称“晶能”）通过官方微信宣布，近日，其自主设计研发的首款车规级IGBT产品成功流片。新款芯片各项参数均达到设计要求。此次突破标志着晶能在IGBT技术上迈出一个“芯”的里程碑，为后续更多功率芯片的研制打下基础。
传联电拟在日本再建一座新晶圆厂，投资额或达5000亿日元！官方回应
2月16日消息，据日刊“工业新闻”报导，因车用等需求稳健，晶圆代工大厂联电考虑在日本三重县桑名市的现有工厂（三重工厂）厂区内兴建半导体新厂，投资额预估达5000亿日元（约合人民255.9亿元）。
