标签： High-NA EUV

业界

英特尔前CEO再度发文：反对拆分英特尔，政府应支持其与台积电竞争！

3月14日消息，英特尔前CEO克雷格·贝瑞特（Craig Barrett）继此前在《财富》（Fortune）杂志上发文反对将英特尔分拆为芯片设计公司和晶圆代工业务之后，近日再度发文呼吁，不应该将英特尔业务分拆成两部分，尤其是Intel 18A刚获得技术突破，即将赶上台积电N2制程的时刻。他认为，提出此建议的四位前英特尔董事会成员，虽然用意很好，但却“不得要领“”，因为他们是两位学者和两位前政府官僚，这样的人并不适合为竞争激烈的半导体产业制定策略。

2025年3月14日

业界

英特尔和imec报告High NA EUV进展

比利时微电子研究中（Imec）演示了使用单次曝光High NA EUV 光刻技术对 20nm 间距金属化线结构进行电气测试。测试结果显示“电气良率”超过 90%，表明随机缺陷数量较少。

2025年2月28日

英特尔完成首个商用High NA EUV光刻机组装，为Intel 14A工艺开发做好准备

业界

英特尔两台High NA EUV光刻机已投产，单季完成3万片晶圆

据路透社2月24日报道，英特尔资深首席工程师Steve Carson在美国在加利福尼亚州圣何塞举行的一场会议上表示，英特尔已经安装的两台ASML High NA EUV光刻机正在其晶圆厂生产，早期数据表明它们的可靠性大约是上一代光刻机的两倍。

2025年2月25日

业界

ASML CEO专访：中国芯片制造技术落后西方10-15年！

近日，荷兰光刻机大厂ASML CEO Christophe…

2024年12月26日

业界

台积电年底前将接收首台High NA EUV光刻机

11月4日消息，据《日经亚洲》报导，全球最大的晶圆代工厂商台积电（TSMC）年底前会收到ASML最先进的High NA EUV（高数值孔径极紫外）光刻机，每台售价超过3.5亿美元，能使半导体制造商制造线宽更小的芯片。

2024年11月4日

业界

2030年仅EUV光刻机的年耗电量将超过54000吉瓦！

11月4日消息，根据半导体研究机构TechInsi…

2024年11月4日

业界

英特尔已经完成第二套High NA EUV光刻机组装

10月10日消息，ASML 新任首席执行官 Christophe Fouquet 近日在SPIE大会上介绍了ASML的High NA EUV光刻机，并表示英特尔的第二套 High NA EUV光刻机已经组装完成。

2024年10月10日

业界

康宁推出EXTREME ULE玻璃，可支持High NA EUV光刻

10月3日消息，全球领先的材料厂商康宁近日宣布推出全新的超低膨胀（ULE）材料——EXTREME ULE 玻璃，可以支持芯片制造商利用最新的High NA（高数值孔径）EUV光刻技术来大规模生产当今最先进、最复杂的微芯片。

2024年10月3日

业界

传三星将抢先台积电拿到High NA EUV光刻机

8月16日消息，据韩国首尔经济日报报道，三星将于2024年第四季度到2025年第一季在韩国华城园区开始安装首套High-NA EUV，预计2025年中启用，首先会用于开发2nm以下逻辑制程，以及先进的DRAM芯片制程。三星也计划与Lasertec、JSR、Tokyo Electron和Synopsys合作，打造High-NA EUV生态系统。