标签： High-NA

2024年10月31日，美国商务部和美国国家半导体技术中心 （NSTC） 的运营商 Natcast 公司共同宣布了第一个基于美国《芯片与科学法案》推动的芯片研发（R&D） 旗舰设施的建设计划，将在纽约州首府奥尔巴尼（Albany）的 NY CREATES 纳米技术综合体内，打造CHIPS for America EUV（极紫外）加速器。预计将获得8.25亿美元的拟议联邦投资的支持。

2月29日消息，据外媒Tomshardware报导，ASML与英特尔于本周宣布达成了High NA EUV的重要里程碑。ASML已向英特尔交付的最先进High NA EUV光刻机Twinscan EXE:5000的主要部件已经启动，即首度打开光源并使光线到达晶圆上的抗蚀层，并开始运作，表示光源和反射镜已正确对准。这是High-NA EUV光刻机启动过程中的关键一步，尽管目前尚未达到峰值性能。

据日本媒体mynavi报道称，ASML 首席商务官 (CBO) Christophe Fouquet 近日在比利时 imec 的年度盛会 ITF World 2023 上发表了题为“Extending Lithography into the 2030s to Support the World-Changing Semiconductor Industry”的演讲。他在演讲中强调需要2030年代开发NA=0.75的超高NA EUV曝光技术。

11月15日消息，综合韩联社、koreatimes报道显示，全球光刻机龙头大厂ASML首席执行官温宁克（Peter Wennink）于今日在韩国首尔召开的一场新闻发布会上表示，ASML新一代的High-NA EUV光刻机将于2024年开始发货，每台设备的价格将在3亿至3.5亿欧元之间。