英飞凌推出全球首款集成肖特基二极管的工业用GaN晶体管产品系列
4月22日，英飞凌宣布推出CoolGaN™ G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能，进一步提升整体系统效率。此外，该集成解决方案还简化了功率级设计，降低了用料成本。
标签： GaN
全球首次！九峰山实验室实现氮化镓材料制备领域新突破
3月24日消息，九峰山实验室科研团队近日取得重大突破，成功在全球范围内首次实现了8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料的制备。
德州仪器内部氮化镓功率半导体产能提升4倍！
2024年10月24日，美国芯片大厂德州仪器 (TI) 宣布，其位于日本会津的工厂已开始生产基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体。随着会津工厂的产能提升，加上其位于德克萨斯州达拉斯的现有GaN制造工厂产能，德州仪器现在已经将内部生产的基于 GaN 的功率半导体产能提升了4倍以上。
英飞凌成功推出全球首款300mm GaN晶圆
当地时间9月11日，英飞凌科技股份公司（infineon）宣布，公司已成功开发出全球首款300毫米（12英寸）功率氮化镓（GaN）晶圆技术。英飞凌是世界上第一家在现有且可扩展的大批量制造环境中掌握这项突破性技术的公司。这一突破将有助于大幅推动基于 GaN 的功率半导体市场。与 200 mm 晶圆相比，300 mm 晶圆上的芯片生产在技术上更先进，效率更高，因为更大的晶圆直径每个晶圆可容纳 2.3 倍的芯片。
信越化学宣布推出用于GaN器件的12英寸晶圆
近日，日本半导体材料大厂信越化学宣布，已经制造出一种用于 GaN（氮化镓）外延生长的 300 毫米（12 英寸）衬底，并于最近开始供应样品。
破产的GaN代工厂BelGaN遭多家机构组团竞购，报价约1.3亿欧元
8月26日消息，于本月初申请破产的比利时氮化镓（GaN）芯片代工厂BelGaN近日获得了瑞典-芬兰财团联合成立的“7 Semiconductors Oy”公司的名义竞购了这家位于比利时赫尔辛基的公司。
GaN功率半导体市场发展提速，行业首波整合潮出现
自去年以来，氮化镓（GaN）功率半导体市场可谓热闹非凡。英飞凌、瑞萨电子、格芯等头部大厂纷纷开始并购GaN技术公司，强化在GaN领域的技术储备。虽然GaN在快充领域应用已经日渐成熟，但随着新兴产业如电动汽车、人工智能、机器人等逐渐发展，对更高功率更低能耗的要求，将促发氮化镓器件逐渐取代传统硅基器件，氮化镓在这些高价值场景的商业化应用渐次铺开，也因此驱使半导体大厂在氮化镓领域纷纷积极布局。
德州仪器开始将GaN半导体生产工艺向8英寸过渡
3月6日消息，据外媒报道，德州仪器正在将GaN（氮化镓）生产工艺从6英寸向8英寸过渡，以提高产能、获得成本优势。
车规半导体龙头安世GaN产品助力电动车向无线充电时代迈进
11月5日，万众瞩目的第五届中国国际进口博览会正式拉开幕，闻泰科技旗下Nexperia（安世半导体）、闻泰通讯、得尔塔科技再次联袂参展。其中，安世半导体展出了国内首款满足量产条件的11kW GaN车载无线充电控制器。
鸿海、联电进击第三代半导体
9月16日消息，在昨日的“SEMICON Taiwan 2022国际半导体展”上，鸿海、联电分别展示其在第三代半导体上的布局。鸿海昨日还预告，将整合串起一条龙供应链，在第三代半导体领域大显身手；联电则以子公司联颖光电为指标，目前产能满载，规划扩大产能以应对需求，并朝更先进的8吋晶圆与多元应用迈进。
台达子公司碇基半导体完成新一轮1.02亿元融资
9月14日，台达电子旗下专注于第三代半导体氮化镓（GaN）技术用于开发功率半导体的子公司——碇基半导体宣布已完成新一轮4.56 亿新台币（约合人民币1.02亿元）的增资合约签订。
稳懋董事长：今年智能手机出货较此前预期将减少1亿部
4月18日消息，全球砷化镓代工龙头稳懋董事长、全球前五大铜箔基板厂联茂董事长陈进财17日在出席“联茂25周年家庭日活动”时警告称，受大陆市场需求不振影响，今年全球智能手机市场恐较去年衰退1%至2%，总量估约13亿部，相比此前市场原本普遍预期的14亿部降低了1亿部。
