标签: GAA工艺

台積電。本報資料照片

台积电2nm芯片开发生态系已接近完成

10月13日消息,台积电在欧洲举办2023 台积电开放创新平台(Open Innovation Platform ,OIP)活动,向合作伙伴展示下一代晶圆代工技术,并表示目前芯片设计人员所需的全新的面向2nm制程工艺的EDA、模拟和验证工具及部分IP都已可供使用,相关生态系统正在形成。

三星攻克3nm工艺关键GAA技术,将领先台积电于2022年规模量产

1月3日,据韩媒Business Korea报道,三星电子已经成功攻克了3nm和1nm工艺所使用的GAA(GAA即Gate-All-Around,环绕式栅极技术​)工艺技术,三星将其称之为 MBCFET(Multi-Bridge Channel FET,板片状结构多路桥接鳍片),正式向3nm制程迈出了重要一步,预计将于2022年开启大规模量产。