Q1净利暴涨92%！ASML回应美国关税政策影响
2025年4月16日，光刻机大厂ASML发布2025年第一季度财报。虽然一季度整体业绩出现了环比下滑，但是同比均实现了大幅增长。对于近期美国特朗普关税政策所带来的影响，ASML的高管在财报会议上也进行了回应。
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英特尔前CEO出任xLight董事长，推动FEL-EUV光源2028年商用！成本可降低3倍！
4月13日消息，英特尔前CEO帕特·基辛格近日在LinkedIn平台上发布博文称，其已经加入了 xLight 担任执行董事长。xLight官网上个月也公布了这一消息。
ASML业绩创历史新高，股价大涨！中国大陆净系统销售额占比跌至27%！
2025年1月29日，光刻机大厂ASML发布了2024年第四季度及全年财报，不仅季度及全年营收均创下了历史新高记录，同时四季度新增订单金额环比暴涨169.5%，远超分析师的预期。虽然受DeepSeek引发“AI算力需求重估”导致ASML美股1月27日大跌5.75%，但是随着ASML未来短期及长期指引均未受影响，叠加超预期2024年四季度及全年业绩，直接推动ASML在美股1月29日盘前股价大涨9.09%！不过开盘后股价最高涨幅不到7%，收盘涨幅回落至4.29%。
中芯国际市值将赶上台积电？国产EUV光刻机一旦成功，芯片战争就会结束！
近日，新加坡毕盛资产管理(APS Asset Management, “APS”) 的创始人兼联席首席投资官王国辉(Wong Kok Hoi)在接受彭博电视台的专门采访时表示，中芯国际可以利用其优势在未来达到与台积电相当的市值，同时他也阐述了看好中芯国际的理由，强调了这家中国芯片制造商内在实力的关键支柱。
美国研发新型BAT激光器：EUV能源效率提升10倍！
1月6日消息，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发出了一种名称为大孔径铥 （BAT） 激光器，旨在为极紫外 （EUV） 光刻技术的下一步发展奠定基础。该激光器的效率号称是目前ASML EUV光刻机中使用的二氧化碳（CO2）激光器的 10 倍，并有望在多年后取代光刻系统中的 CO2 激光器。
传日本政府将对Rapidus追加1000亿日元出资
11月25日，据日本《共同通信》报导，日本政府已敲定方针，计划在2025年下半年对本土晶圆代工厂Rapidus追加1,000亿日元出资。此外，Rapidus预估将从现有股东、新股东筹措约1,000亿日元资金。也就是说，日本政府的出资额规模将同于民间资金。Rapidus计划利用筹得的资金、追加采购生产先进芯片所必需的EUV光刻机。
俄罗斯自研EUV光刻机计划曝光：采用11.2nm光源，每小时可处理60片12英寸晶圆
12月20日消息，据Cnews报导，俄罗斯已公布自主研发的光刻机路线图，目标是打造比ASML 系统更经济的EUV光刻机。这些光刻机将采用波长为11.2nm的镭射光源，而非ASML 使用的标准13.5nm波长。因此，新技术无法与现有EUV 基础设施相容，需要俄罗斯自行开发配套的曝光生态系统，可能需要数年甚至十年以上时间。
ASML预计2030年营收最高将达600亿欧元！
荷兰菲尔德霍芬，2024年11月14日——在今日举办的2024 年投资者日会议上，ASML将更新其长期战略以及全球市场和技术趋势分析，确认其到2030年的年收入将达到约440 亿至 600 亿欧元，毛利率约为56%至 60%。
台积电年底前将接收首台High NA EUV光刻机
11月4日消息，据《日经亚洲》报导，全球最大的晶圆代工厂商台积电（TSMC）年底前会收到ASML最先进的High NA EUV（高数值孔径极紫外）光刻机，每台售价超过3.5亿美元，能使半导体制造商制造线宽更小的芯片。
美国商务部向纽约州EUV加速器项目提供8.25亿美元补贴
2024年10月31日，美国商务部和美国国家半导体技术中心 （NSTC） 的运营商 Natcast 公司共同宣布了第一个基于美国《芯片与科学法案》推动的芯片研发（R&D） 旗舰设施的建设计划，将在纽约州首府奥尔巴尼（Albany）的 NY CREATES 纳米技术综合体内，打造CHIPS for America EUV（极紫外）加速器。预计将获得8.25亿美元的拟议联邦投资的支持。
