英诺赛科股价大涨背后，GaN专利大战仍在继续
随着氮化镓（GaN）市场的增长，该领域的竞争也在加剧，专利战正成为一项重要的竞争手段。
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ITC终裁确认英诺赛科客户不受英诺赛科与EPC专利纠纷影响
11月8日消息，致力于创建基于高性能、低成本、硅基氮化镓（GaN-on-Si）电源解决方案的全球能源生态系统的企业英诺赛科今天宣布，美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）2024年11月7日发布的337调查终裁决定证实，英诺赛科的客户将其产品进口到美国的合法性不受英诺赛科和宜普电源转换公司（Efficient power Conversion Corporation，EPC）之间正在进行的专利纠纷的影响。
宜普电源转换公司胜诉，美国国际贸易委员会终裁确认英诺赛科侵权
11 月 8 日 – 宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC, 以下简称宜普公司）今日宣布美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）全体委员会维持此前的初步裁定，确认英诺赛科侵犯了宜普公司的核心氮化镓技术专利。
Wolfspeed推出2300V碳化硅模块
近日， 碳化硅（SiC）技术大厂Wolfspeed宣布推出了一款用于 1500V 直流总线应用的 2300V 无铜底板碳化硅功率模块，采用 Wolfspeed 最先进的 200mm 碳化硅晶片开发和推出，旨在通过提高效率、耐用性、可靠性和可扩展性来改变可再生能源、储能和大容量快速充电行业。
GaN功率半导体市场发展提速，行业首波整合潮出现
自去年以来，氮化镓（GaN）功率半导体市场可谓热闹非凡。英飞凌、瑞萨电子、格芯等头部大厂纷纷开始并购GaN技术公司，强化在GaN领域的技术储备。虽然GaN在快充领域应用已经日渐成熟，但随着新兴产业如电动汽车、人工智能、机器人等逐渐发展，对更高功率更低能耗的要求，将促发氮化镓器件逐渐取代传统硅基器件，氮化镓在这些高价值场景的商业化应用渐次铺开，也因此驱使半导体大厂在氮化镓领域纷纷积极布局。
英飞凌在美国ITC对英诺赛科发起337调查申请
据中国贸易救济信息网7月29日消息，美国英飞凌科技（Infineon Technologies Americas Corp.）、美国英飞凌技术奥地利公司（Infineon Technologies Austria AG）根据《美国1930年关税法》第337节规定向美国际贸易委员会提出申请，指控中国氮化镓(GaN)芯片厂商英诺赛科及其子公司对美出口、在美进口及销售的特定半导体器件及其下游产品（Certain Semiconductor Devices and Products Containing the Same）侵犯了其专利，违反了美国337条款。
宜普向美国ITC起诉英诺赛科侵犯其氮化镓技术专利
5月25日消息，氮化镓（GaN）技术厂商宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下简称“宜普公司”）于今日向美国联邦法院和美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）提起诉讼，主张其基础专利组合中的四项专利受到英诺赛科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下统称“英诺赛科”）侵犯。
