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11月8日消息，致力于创建基于高性能、低成本、硅基氮化镓（GaN-on-Si）电源解决方案的全球能源生态系统的企业英诺赛科今天宣布，美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）2024年11月7日发布的337调查终裁决定证实，英诺赛科的客户将其产品进口到美国的合法性不受英诺赛科和宜普电源转换公司（Efficient power Conversion Corporation，EPC）之间正在进行的专利纠纷的影响。

11 月 8 日 – 宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC, 以下简称宜普公司）今日宣布美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）全体委员会维持此前的初步裁定，确认英诺赛科侵犯了宜普公司的核心氮化镓技术专利。

据中国贸易救济信息网7月29日消息，美国英飞凌科技（Infineon Technologies Americas Corp.）、美国英飞凌技术奥地利公司（Infineon Technologies Austria AG）根据《美国1930年关税法》第337节规定向美国际贸易委员会提出申请，指控中国氮化镓(GaN)芯片厂商英诺赛科及其子公司对美出口、在美进口及销售的特定半导体器件及其下游产品（Certain Semiconductor Devices and Products Containing the Same）侵犯了其专利，违反了美国337条款。

5月25日消息，氮化镓（GaN）技术厂商宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下简称“宜普公司”）于今日向美国联邦法院和美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）提起诉讼，主张其基础专利组合中的四项专利受到英诺赛科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下统称“英诺赛科”）侵犯。