详解美国对华晶圆代工限制新规（附完整规则）
当地时间1月15日，美国联邦公报官网发布公告称，美国商务部工业与安全局（BIS）宣布修订出口管理法规（EAR），要求提供与高级计算集成电路（IC）相关的更多尽职调查程序，旨在保护美国国家安全，同时协助前端半导体制造工厂和外包半导体封装与测试（OSAT）公司在遵守EAR供应链相关规定时更有效。
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南亚科技总经理李培瑛：DRAM市场将于2025年二季度开始复苏！
DRAM厂商南亚科技总经理李培瑛在近日的法说会上表示，DRAM市场可能将在2025年上半年触底，并有机会于2025年第二季度开始复苏，主要是来自中国大陆等区域经济，受到政府刺激方案之助，促使DRAM市场有望出现改善。
SK海力士大扩产，HBM月产能将飙升至17万张
1月7日消息，SK海力士今年将以12英寸晶圆为基础，将高带宽内存（HBM）的DRAM产能扩大至每月17万张。此举被解读为应对除最大客户英伟达之外的领先人工智能（AI）芯片公司需求激增的举措。
投资21.7亿美元，美光宣布扩建美国弗吉尼亚州DRAM工厂
2025年1月1日消息，美国弗吉尼亚州州长Glenn Youngkin表示，美光公司计划投资21.7亿美元扩建其在美国弗吉尼亚州马纳萨斯的半导体工厂，将提高其在美国的半导体产能。该项目将升级该设施，为工业、汽车、航空航天和国防应用生产专用DRAM存储器，预计将创造340个就业机会。
碧桂园套现20亿元，长鑫科技估值仍超1500亿元？
12月27日晚间，碧桂园在港交所发布公告，宣布旗下一家间接非全资有限合伙企业作为卖方与买方合肥建长股权投资合伙企业（有限合伙）及长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“长鑫科技”）订立股份转让协议。据此，买方同意购买销售股权（相当于长鑫科技约1.56%的股本权益），总代价为20亿元。于出售事项完成后，碧桂园将不再于长鑫科技拥有任何权益。
第六代DRAM尚未量产，三星第七代DRAM测试线已开建
据韩国媒体Business Korea报导，三星电子已于第四季度在平泽P2厂建立新一代10nm级（1d）的第七代DRAM测试线。业界也将此测试线称为“单路径线”（one path），预期明年第一季度将完全建成。
2024Q3全球DRAM市场营收260.2亿美元，环比增长13.6%
11月26日消息，市场研究机构TrendForce发布最新研究报告称，虽然受中国手机业者去化库存和陆系DRAM供应商扩产，以及三大DRAM原厂的LPDDR4及DDR4出货量下降影响，但供应数据中心的DDR5及HBM需求上升，推动今年第三季DRAM市场营收环比增长13.6%至260.2亿美元。
随着AI需求的飙升，HBM选项增加
随着最先进的 AI 加速器、图形处理单元和高性能计算应用程序需要快速处理的数据量不断激增，高带宽内存 （HBM） 的销量正在飙升。
为应对市场需求变化，三星平泽P4一期将转为同时生产DRAM和NAND Flash
根据韩国媒体ZDNET Korea的报导称，韩国三星电子内部已经于第三季度决定调整平泽园区P4产线第一期（Phase 1）的产能分配，即从单纯的生产NAND Flash，调整为生产NAND Flash + DRAM，以应对市场需求变化。
2025年DRAM位元产出将同比增长25%
11月6日，市场研究机构TrendForce集邦咨询最新公布的报告显示，DRAM产业历经2024年前三季的库存去化和价格回升，价格动能于第四季出现弱化。
