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美光第二财季营收同比增长38.3%，今年HBM产能已售罄！

当地时间3月20日，存储芯片大厂美光科技公布了截至2025年2月27日的2025财年第二季业绩。其中营收为80.5亿美元，环比下滑7.6%，同比增长38.3%，超过了分析师平均预期的78.9亿美元。GAAP净利润为15.8亿美元，每股收益（EPS）为1.41美元；Non-GAAP净利润为17.8亿美元，每股收益为1.56美元，高于分析师平均预期的1.42美元。受超出市场预期的业绩影响，推动美光盘后股价一度大涨超过4.5%，但盘后交易结束时涨幅回落到了0.99%。

2025年3月21日

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三星、SK海力士，在华收入大涨

3月13日消息，受益于去年存储芯片市场需求回暖以及价格上涨，韩国三星电子和SK海力士这两家存储芯片大厂在去年都获利颇丰。特别是在中国市场，受国内的消费补贴刺激政策的推动，三星电子和SK海力士在中国的销售额也实现了大幅增长。

2025年3月13日

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美光1γ制程DRAM仅采用了一层EUV光刻

根据韩国媒体《朝鲜日报》报道，美光送样的1γ DDR5内存芯片，仅仅只用一层EUV光刻，这是由于美光希望通过减少EUV使用，以加速量产先进制程DRAM，并降低成本。

2025年3月11日

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2024年四季度全球DRAM产业营收环比增长9.9%

2月27日消息，据市场研究机构TrendForce 最新调查显示，2024年第四季全球DRAM产业营收突破280亿美元，环比增长9.9%。由于服务器DDR5合约价上涨，加上HBM集中出货，全球前三大DRAM厂商营收皆持续环比增长。平均销售单价方面，多数应用合约价皆反转下跌，仅美系CSP增加采购大容量服务器DDR5，成为支撑价格继续上涨的主因。

2025年2月27日

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因涉嫌向中企泄露核心技术，三星电子前高管被判刑7年！

2月19日，韩国首尔中央地方法院第25刑事部（主审法官池贵渊）以违反《防止信息泄漏及保护产业技术相关法律》为由，对因涉嫌向中国企业泄露韩国核心半导体技术的三星电子前高管金某一审判处有期徒刑7年。同时被起诉的原分包商员工方先生和金先生也分别被判处2年6个月有期徒刑和1年6个月有期徒刑。

2025年2月19日

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DeepSeek将间接提升国产DRAM竞争力

2月19日消息，据市场研调机构Counterpoint Research发布研究报告指出，中国AI大模型厂商推出的DeepSeek R1大型语言模型的训练成本分别仅为600万美元，相比ChatGPT、Gemini及Claude等领先模型低约96%，但性能却毫不逊色。随着DeepSeek R1在各类应用上的大规模部署，将直接刺激对于DRAM芯片和AI芯片的需求。目前中国补贴政策将有效降低存储芯片厂商的生产成本，推动存储芯片等半导体厂商积极扩产，将逐渐强化中国的半导体供应链。

2025年2月19日

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传三大DRAM厂商停产DDR3/DDR4，南亚科技及华邦电子股价大涨

2月17日消息，据日经新闻报导，随着DRAM价格的持续下跌，三星、SK 海力士和美光等DRAM大厂都将在2025年内停产DDR3和DDR4，一旦相关产品停产，市场预期中国台湾DRAM厂商将有望出现转单效益，且最快在今年夏季后扭转DRAM市场供过于求的困境，出现供不应求的状况。该消息刺激华邦电子、南亚科技17日股价分别大涨8.16%和6.35%。

2025年2月17日

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2025年1月DRAM价格继续下跌，创近2年来最大跌幅

2月14日，据日经新闻报道，由于PC、智能手机等终端产品需求疲弱，加上中国买家扩大采用国产DRAM，导致全球DRAM需求放缓，今年1月DRAM价格环比下跌6%。

2025年2月14日

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三星更改1c纳米级DRAM设计，以确保HBM4量产

2月12日消息，据韩国媒体报道，三星电子正在重新调整其第六代1c纳米级（10nm级）DRAM的设计，以提升良品率，确保其第六代高频宽內存HBM4的量产。

2025年2月12日

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国产存储芯片实现重大突破！

近日，半导体研究机构TechInsights对于长江存储（YMTC）和长鑫存储（CXMT）最新在售的存储芯片进行拆解分析，认为中国存储芯片技术迎来了众多突破。

2025年2月7日

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因良率问题，三星第六代10nm级1c DRAM 延后半年

1月21日消息，据韩国媒体MoneyToday报导，DRAM大厂三星电子之前宣称其第六代10nm级1c DRAM制程2024年底开发完并量产，但良率没有提升，导致开发延后6个月到2025年6月才能完成，这也会使预定下半年量产的第六代高频宽內存（HBM4）一并延后。

2025年1月21日

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生成式AI带动DRAM需求，中国DRAM厂商有望持续缩小与国外厂商差距

1月17日消息，随着生成式AI技术的快速发展，中国对于DRAM的需求和供应都在持续增长。市场调研机构Counterpoint Research最近发布报告指出，中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）正通过技术进步与市场拓展，逐步缩短与全球头部领先DRAM企业的差距，尽管仍面临技术瓶颈与美国对华限制的挑战。

2025年1月17日

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