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合肥长鑫LPDDR5内存有望2-3年内推出,17nm以下工艺

进军DDR5/GDDR6/LPDDR5内存 合肥长鑫计划第三代10nm工艺
近日,安徽省发布了《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》文件,该方案要求通过2-3年时间,重点突破一批制约产业发展的关键技术,培育一批优势产品,做强一批优势企业,不断提高制造业自主可控水平,促进制造业高质量发展。根据该文件显示,希望2-3年内解决一些关键技术瓶颈,其中在内存技术方面,要求推进低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发。

威刚科技宣布导入长鑫存储内存芯片

威刚科技导入长鑫存储内存芯片
近日,内存品牌威刚科技(ADATA®Technology Co., Ltd.)也宣布,将针对中国市场导入国产存储颗粒大厂长鑫存储的高质量高效能内存颗粒,搭配威刚科技严格的兼容性测试标准,評估導入U-DIMM 与SO-DIMM内存方案,并兼容于目前市面上的各式台式机与笔记本计算机。