• 三星研发4F² DRAM储存单元结构，面积最高可减少30%

    三星研发4F² DRAM储存单元结构，面积最高可减少30%

    5月26日消息，据韩国媒体The Elec报道，存储芯片大厂三星组建了一支专业团队，负责开发 4F² DRAM 储存单元结构。相较现有 6F² DRAM 储存单元结构，在不改变制程...
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